集成电路设计（第4版）课件 5.6 MOSFET的尺寸按比例缩小.ppt

1第五章 MOS 场效应管的特性5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按比例缩小5.7 MOS器件的二阶效应 2MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响MOSFET特性：非饱和区 饱和区 3结论1：L ? ? Ids ? tox? ? Ids ? L? + tox? ? Ids ? ? 减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高结论2：W? ? Ids? ? P? 减小W引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小结论3：( L? + tox?+W?)?Ids=C ? AMOS? 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致 器件占用面积减小，电路集成度提高。总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 4减小L引起的问题： L??Vds=C ? (Ech?，Vdsmax?) 即在Vds?Vdsmax=VDD不变的情况下，减小L将导致击穿电压降低。解决方案：减小L的同时降低电源电压V