集成电路设计（第4版）课件 5.1 MOS管伏安特性的推导.ppt

1第五章 MOS 场效应管的特性5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按比例缩小5.7 MOS器件的二阶效应 25.1 MOS场效应管5.1.1 MOS管伏安特性的推导两个PN结： 1）N型漏极与P型衬底； 2）N型源极与P型衬底。 同双极型晶体管中的PN 结 一样， 在结周围由于载流 子的扩散、漂移达到动态平 衡，而产生了耗尽层。一个电容器结构： 栅极与栅极下面的区域形成一个电容器，是MOS管的核心。图 5.1 3MOSFET的三个基本几何参数栅长: L栅宽: W氧化层厚度: tox 4MOSFET的三个基本几何参数Lmin、 Wmin和 tox 由工艺确定Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size) 决定MOSFET的速度和功耗等众多特性L和W由设计者选定通常选取L= Lmin，由此，设计者只需选取WW影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗 5MOSFET的伏安特性:电容结构当栅极不加电压或加负电压时，栅极下面的区域保持P型导电类型，漏和源之间等效于一对背靠背的二极管，当漏源电极之间