集成电路设计（第4版）课件 4.1 双极型集成电路工艺.ppt

* 第四章 集成电路器件工艺 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 4.4 BiCMOS工艺 * 集成电路的类型包括以双极型硅为基础的ECL技术、PMOS技术、NMOS技术、CMOS技术，双极型硅或硅锗异质结晶体管加CMOS的BiCMOS技术和GaAs技术。 目前占统治地位的是CMOS工艺，单纯采用双极型硅的ECL工艺仅在一定的场合得到应用，以锗硅异质结晶体管（HBT）为元件的ECL电路和BiCMOS电路，近年来在高频、高速和大规模集成方面都展现出优势。 * 图4.1 几种IC工艺速度功耗区位图 速度与功耗 GaAs潜在速度最高，而CMOS可以做到功耗最小 * 4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 4.2 MESFET和HEMT工艺 4.3 MOS工艺和相关的VLSI工艺 4.4 BiCMOS工艺 * 4.1.1 双极型硅工艺 早期的双极型硅工艺：NPN三极管 图4.2 1 2 3 缺点：① 较大的基区体电阻；② 较大的集电极串联电阻；③ 较大的集电极寄生电容。 * 先进的双极型硅工艺：NPN三极管 图4.2 减小晶体管水平与垂直尺寸来提高性能。双极型晶体管的最高速度取决于通过基区到集