集成电路设计（第4版）课件 5.3-5.4-5.5 体效应、温度特性和噪声.ppt

1第五章 MOS 场效应管的特性5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按比例缩小5.7 MOS器件的二阶效应 25.3 MOSFET的体效应 前面VT的推导都假设源极和衬底都接地，认为Vgs是加在栅极与衬底之间的。实际上，在许多场合，源极与衬底并不连接在一起。 通常，衬底是接地的，但源极未必接地，源极不接地时对VT值的影响称为体效应(Body Effect)。图 5.6 3图5.7 某一CMOS工艺条件下，NMOS阈值电压随源极-衬底电压的变化曲线 阈值电压的变化约为1.3V，如果不考虑该变化，设计就会出现严重问题。 4图5.6NMOS管M2和M3源极不接地的情况 由于衬底偏置效应在多数数字电路中是不可避免的，电路设计者要根据需要采用合适的方法对阈值电压的变化加以补偿。 5第五章 MOS 场效应管的特性5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按比例缩小5.7 MO