集成电路设计（第4版）课件 6.4-5 JFET与MESFET模型.ppt

第6章 集成电路器件及SPICE模型 * 6.1 无源器件结构及模型 6.2 二极管电流方程及SPICE模型 6.3 双极晶体管电流方程及SPICE模型 6.4 结型场效应管JFET模型 6.5 MESFET模型 6.6 MOS管电流方程及SPICE模型 N沟JFET的结构示意图和电路符号 * 结型场效应 JFET ( NJF/PJF ) 模型 JFET模型源于Shichman和Hodges给出的FET模型。其直流特性由反映漏极电流随栅极电压变化的参数 VTO和BETA、确定输出电导的参数LAMBDA和栅-源结与栅-漏结饱和电流的参数IS共同描述。包含了RD和RS两个欧姆电阻。其电荷存储效应由随结电压的平方根变化的栅-源与栅-漏两个结的非线性耗尽层电容模拟，参数为CGS，CGD和PB。 * * 6.1 无源器件结构及模型 6.2 二极管电流方程及SPICE模型 6.3 双极晶体管电流方程及SPICE模型 6.4 结型场效应管JFET模型 6.5 MESFET模型 6.6 MOS管电流方程及SPICE模型 6.7 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法 （见CH06-2课件） MESFET模型源于Statz等给出的GaAs模型 其直流特性由反映漏极电流随栅极电压变化的参数VTO、B和BETA，并由确定饱和电压的参数ALPHA和确