集成电路设计（第4版）课件 6.6 MOSFET模型.ppt

第6章 集成电路器件及SPICE模型 * 6.1 无源器件结构及模型 6.2 二极管电流方程及SPICE模型 6.3 双极晶体管电流方程及SPICE模型 6.4 结型场效应管JFET模型 6.5 MESFET模型 6.6 MOS管电流方程及SPICE模型 SPICE集成电路分析程序与MOSFET模型 HSpice中常用的几种MOSFET模型 Level=1 Shichman-Hodges Level=2 基于几何图形的分析模型 Grove-Frohman Model (SPICE 2G) Level=3 半经验短沟道模型 (SPICE 2G) Level=49 BSIM3V3?BSIM, 3rd, Version 3 Level=50 Philips MOS9 * MOSFET一级模型(Level=1) 描述I和V的平方率特性, 它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应. 非饱和区 饱和区 * KP=μ?Cox?本征跨导参数 Cox =?ox/Tox?单位面积的栅氧化层电容 LO?有效沟道长度, L?版图栅长, LD?沟道横向扩散长度 MOSFET一级模型(Level=1) (续) MOSFET的阈值电压Vto本质上由栅级上的电荷, 绝缘层中的电荷和沟道区电荷之间的平衡决定的, 表达式为: VTO是 V