集成电路设计（第4版）课件 5.7 MOS器件的二阶效应.ppt

1第五章 MOS 场效应管的特性5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声5.6 MOSFET尺寸按比例缩小5.7 MOS器件的二阶效应 25.7 MOS器件的二阶效应 随着MOS工艺向着亚微米、深亚微米的方向发展，采用简化的、只考虑一阶效应的MOS器件模型来进行电路模拟，已经不能满足精度要求。此时必须考虑二阶效应。 二阶效应出于两种原因：1) 当器件尺寸缩小时，电源电压还得保持为5V，于是，平均电场强度增加了，引起了许多二阶效应。2) 当晶体管尺寸很小时，这些小器件的边缘相互靠在一起，产生了非理想电场，也严重地影响了它们的特性。 35.7.1 L和W的变化在一阶理论的设计方法中，总认为L、W是同步缩减的，是可以严格控制的。事实并非如此，真正器件中的L、W并不是原先版图上所定义的L、W。原因之一在于制造误差；原因之二是L、W定义本身就不确切，不符合实际情况。图 5.9 4 L和W的变化(续) 通常，在IC中各晶体管之间是由场氧化区（field oxide）来隔离的。在版图中，凡是没有晶体管的地方，一般都是场区。场是由一层很厚的SiO2形成的，多晶硅或铝线在场氧化区上面