YS_T 935-2013电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南.pdf

ICS 77.150.99YSH 68中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 935—2013电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南Standard guide for analysis and reporting the impurity content and grade of highpurity metallic sputtering targets for electronic thin film applications2013-10-17 发布2014-03-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 YS/T 935—2013前言本标准按照 GB/T 1.1一-2009给出的规则起草。本标准参照了ASTMF2113-01（2011)《电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量的分析及报告标准指南》。本标准由全国有色金属标准化技术委员会（SAC/TC243)归口。本标准起草单位：有研亿金新材料股份有限公司。本标准主要起草人：张涛、何金江、丁照崇、万小勇、徐建卫、廖赞、尚再艳、王欣平、熊晓东、吕保国 YS/T 935—2013电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南1 范围本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材的纯度等级的定义方法、杂质含量分析方法、抽样规则及靶材纯度等级报告标准规范等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材（以下简称靶材）。其他对纯度有较高要求的靶材纯度等级、杂质含量分析及报告规范也可参照使用。2规范性引用文件件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14265金属材料中氢、氧、氮、碳和硫分析方法通则GB/T20975（所有部分）铝及铝合金化学分析方法GB/T29658电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材YS/T 871 高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法YS/T922高纯铜化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1靶材target物理气相沉积(PVD)工艺中用于溅射的阴极部分,本标准中指加工后待用的靶材。3.2原材料批 material lot batch制造同批系列靶材所用的原材料锭批。3.3靶材规范target specification电子薄膜用溅射靶材的产品规范。4　要求4.1成分要求电子薄膜制备用高纯金属溅射靶材因用途不一，对不同材质靶材的纯度要求也不一致。靶材成分要求，般包含金属杂质和非金属杂质检测，要求如下：4.1.1靶材由纯金属制成，按靶材规范要求检测原材料批的金属杂质含量，并在靶材规范中提供检1 YS/T 935-2013测值。4.1.2靶材由合金制成，按靶材规范要求分别检测原材料批的合金成分和其余金属杂质含量，并在靶材规范中提供检测值。4.1.3靶材规范中应包含非金属元素如：碳、氢、氮、氧、硫的检测值。4.2杂质检测其他要求4.2.1靶材规范中应列出杂质元素含量的上限值和具体检测值，且注明检测方法。将仪器不能检测出具体数值的杂质元素，按仪器的检出限报告其值。4.2.2供方可按需方要求检测靶材标准外的杂质含量，并按供需双方协商方式提供报告，但其不包含在确认相应纯度等级的杂质元素值内。4.2.3某元素检测时可能存在特殊的分析问题，如干扰问题。需由供需双方商定分析方法和杂质检出限。4.2.4对电子薄膜使用性能产生严重影响的特定元素,如放射性元素U、Th、U+Th 总和及有害杂质 S的含量应明确规定，并要求明确所允许的上限值和分析检测方法。4.2.5杂质含量上限值和分析检测方法，或由供需双方商定。5纯度等级靶材纯度等级为100%减去要求的杂质总和的余量，其中不含碳、氢、氮、氧、硫等非金属杂质含量，应符合表1要求。5.1电子薄膜用高纯金属溅射靶材的纯度及纯度等级的划分应符合表1规定，杂质含量总和按4.1所规定的靶材杂质元素检测值计算，杂质检测值以质量分数w(B），即（1×10-4）%的形式表述。5.2按4.1中规定的杂质元素种类计算杂质含量总和，并确定靶材纯度和纯度等级，等级判定应符合表1规定。表1靶材纯度等级分类及要求杂质含量总和要求纯度/%简称最小值最大值(1×104)/%(1×10-4) /%99.953N510050099.994N5010099.9954665N51099.999 55 N516 666666N0.5116 试验方法对4.1中规定的杂质元素进行检测，采用的分析方法和技术、仪器检测限应符合4.2中规定的材料或相应等级。靶材规范中应明确优选的检测方法。对于6N纯度等级的,检出限应0.01×10-°;而5N5 和 5N纯度等级,检出限应0.1×10-°;4N5 和 4N纯度等级,检出