SJ_T 11471-2014发光二极管外延片测试方法.pdf

ICS 29.045H 83备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T11471—2014发光二极管外延片测试方法Measurement methods for epitaxial wafers of light-emitting diodes2014-10-14发布2015-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T11471—2014言前 本标准按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。请注意本标准的某些内容可能涉及专利。本标准的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：上海蓝光科技有限公司、山东华光光电子有限公司。本标准参加单位：见附录CSU本标准主要起草人：潘尧TECHINOLOGYARDSSTAND SJ/T11471—2014发光二极管外延片测试方法1范围本标准规定了可见光发光二极管外延片（以下简称外延片）的几何参数、表面缺陷、结构参数及光电参数的测试方法。本标准适用于镓砷磷系、铝系、铝镓铟磷系及铝镓铟氮系外延片。ANDINTORMANO2规范性引用文件TRY下列文件对于本文使的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件主日期的版本适用于本文件。CN用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本凡是不注日期的引鞋础片曲度测法GB/T 661988888888TECHNOL硅片翘曲度GB/T 6620测8硅拢表面质量目检验方法GB/T化干涉测量方法GB/T 8782006爱发砖砷化量方法2006单晶位错密度的GB/T 8760993硅片直径测量方GB/T141402半导体材料术语GB/T14264G-2009秀板方2002透寸电嘉微镜选区GB/T 18907时00GB/T 20229U化镓单晶2纳米级长度的扫描电镜测量方法通则GB/T203006洁净室及相关受控环境第一部分：空气洁净度等级GB/T25915.金属覆盖层横截面厚度扫描电镜测试方法JB/T 7503SSJ/T11394—2009半导手体发光二极管测试方法RDSJ/T11395-2009体照半导体发光SJ/T11399-2009发光二极管外延片SJ/T11470-20143术语和定义GB/T14264一2009和SJ/T11395一2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1辐射功率保持率radiantpowermaintenance芯片在规定工作条件下连续工作规定时间后的辐射功率的值与初始值之比4一般要求4.1测试环境条件1 SJ/T11471—20144.1.1标准测试环境条件标准测试环境条件按以下规定：温度：25℃±10℃；a）b）相对湿度：20%～80%;c)洁净度：ISO6级（必要时）；d）气压：86kPa～106kPa;e)无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰。4.1.2仲裁测试环境条件仲裁测试环境条件按以下规定：a)温度：25℃±1℃；b)相对湿度：48%~52%；洁净度：ISO6级（必要时）；c)d)气压：86kPa～106kPa;e)无影响测试准确度的机械振动、电磁和光照等干扰。4.2测试设备4.2.1量程、偏移、稳定性、分辨率和不确定度应符合相关标准的规定；4.2.2应按规定间隔进行检定或校准，并有检定或校准证书，有明确的标志；5详细要求5.1外延片几何参数5.1.1直径按GB/T14140.2一1993的规定进行测量。5.1.2翘曲度按GB/T6620的规定进行测量。5.1.33弯曲度按GB/T6619的规定测量。5.2外延片表面缺陷5.2.1沾污及刮伤、划痕按GB/T6624一2009规定对外延片表面的沾污及刮伤、划痕进行检验。5.2.2坑洞、颗粒光学显微镜测试直径大于1mm的坑洞或颗粒采用光学显微镜测试，测量时随机取不少于规定数量的区域且区域面积和占总面积比值不小于规定值。2 SJ/T11471—20扫描电子显微镜测试样品表面的裂纹、凸起、凹坑等缺陷，可用扫描电子显微镜测试。其测试按以下规定：a）测试条件：1）扫描电子显微镜，仪器的分辩率应优于10nm；2）推荐放大倍数不低于5000倍下获得样品表面的二次电子像；3）无特殊要求，外延片上采用中心点取样；4）样品推荐大小5mm×5mm，取样时注意防止沾污；5）若样品不导电则在样品表面喷镀1nm～2nm的金层。b)测试步骤：测试时，按GB/T20307一2006，获取被测样品的二次电子像，通过二次电子像，观察样品表面缺陷，包括裂纹、MANDINTORMATION-LTSRY样品表面的凹台阶可用原子力显微镜测试。其测试按以DU测试条a)888888888888888888881) 孝谷表面清晰图片；μm×5um下获得7P特殊要录，2)取样；米