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碲镉汞（MCT ）富汞液相外延技术综述 Ul- 作者：毛旭峰宋林伟吴军张阳 来源：《科技风》2019年第07期 摘要：富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术，可在富 Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层（Cap层）形成 p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料，实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生 长。从而优化碲镉汞探测器的性能，提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度，降低组件的体积、 重量和功耗，提高可靠性，为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。 关键词：碲镉汞（Hg1-x CdxTe，MCT）;富汞;垂直液相外延（VLPE） 中图分类号：TN213 1绪论 液相外延现今依然是制备碲镉汞外延薄膜的主流技术，围绕碲镉汞液相外延发展起来的工 艺技术有很多、从母液上可以分为富碲、富汞;从工艺方式上分为水平推舟法、垂直浸渍法、 倾舟法（图1）。这些液相外延工艺方式都获得一定成功，如:Sofradir采用水平富碲推舟外 延作为碲镉汞液相外延的主流技术，美国的DRS公司和德国的AIM公司一直坚持采用垂直富 碲液相外延技术，英国的BAE［1］及美国Raythen公司⑵采用富汞垂直外延技林亍生产双层异质 结构的第二代红外焦平面探测器。 水平富碲推舟工艺作为碲镉汞液相外延的主流生产技术但是实际使用过程中水平推舟工 艺存在一定的局限性，外延材料表面存在比较严重的波纹，薄膜表面平整度差该工艺的产能 较低，并难以保证不同批次的外延材料具有完全一致的性能;薄膜表面易产生母液粘连、擦伤 等，以及薄膜生长完后与石墨舟粘连严重，取片时薄膜易损坏等。［3］ 相比之下，富汞垂直外延工艺在这些方面具有更好的适应性其生长的薄膜不存在水平富碲 外延常见的宏观生长波纹，薄膜表面平整度较好。不存在薄膜表面母液粘连以及薄膜与石墨舟 的粘连，薄膜有效利用面积大，且易实现多片大面积生长，产能高。同批次材料片与片之间组 分和厚度差异小等。［2］ 最重要是，富汞垂直外延技术是唯一能够通过生长实现As掺杂并直接激活形成受主的外 延技术。［1］用富汞垂直外延技术制备的双层p-on-n型结构器件是目前性能做的最好的长波和 甚长波红外探测器。 2富Hg垂直浸渍液相外延工艺特点及难点 富Hg垂直浸渍液相外延技术，采用富Te及富Hg液相外延结合的方式生长出p-on-n型组 分梯度异质结构碲镉汞材料，实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优 化碲镉汞探测器的性能，提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度，降低组件的体积、重量和功 耗，提高可靠性，为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。 图2垂直浸渍法MCT液相外延设备示意图［1］ 富Hg垂直浸渍液相外延的设备和工艺原理图如图所示。该工艺一般采用较大坩埚，盛放 大量的母液，夕卜延时衬底插入母液，夕卜延结束后将衬底拉出母液，母液靠重力和外延层表面分 离。 富Hg液相外延既可用于单层碲镉汞外延材料的生长，也可用于组分异质结中高组分p型 覆盖层（Cap层）的外延，厚度一般为1um-3um，为了使长波器件具有良好的欧姆接触，高组 分Cap层的表面组分还需降下来，这对外延工艺的可控制能力和可重复性的要求是相当高的。 与富Te垂直液相外延相比，富Hg液相外延遇到的最大困难有两点，其一是采用Hg作为 溶剂带来的Hg高压问题;其二为组分Cd在富Hg溶液中的低溶解度问题。但与富垂直富碲液 相外延相比，富汞液相外延有两个明显的特点：一是表面不粘液，材料的可使用面积增大二 是材料的厚度控制精度高，可达土 1um，而垂直富碲液相外延材料的厚度控制精度最好也就在 ±3um，其原因在于，富碲外延系统中有较高的碲分压，同时又以汞分压为主，Te和Hg蒸汽 压反应会在管壁形成HgTe，进而改变加热丝对坩埚的热辐射状态，同时，汞回流效应的存在 还会使得这种现象处于不稳定状态，引起控温点和母液之间温度差不稳定，最终导致实际生长 温度的不确定性增加。［1］ 3相图及化学缺陷 对Te和CdTe在Hg中溶解性研究显示，Te在Hg中的溶解度大于CdTe在Hg中的溶解 度，增加一方将导致另一方溶解度降低。 如图3所示为富Hg生长中组分与温度溶解度关系图。［3］对比富Te富Hg在500°C生长组 分为0.2的HgCdTe外延薄膜，富Te状态下所需Cd浓度为8.3E-3,而富Hg状态下需2.6E- 4,他们之间有32倍的差别。Cd在Hg中溶解度较低是影响富Hg生长的一个最主要原因，采 用大溶液法可克服由于生长造成的Cd损耗这一问题，可生长出10um厚度以上的均匀HgCdTe 外延薄膜。 如图所示为富Hg及富Te外延中汞压与生长温度关系图。［3］由图可知，同样在500C下生 长，富Te溶液中的Hg压为0.