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具有共享外延层的堆叠垂直传输场效应晶体管逻辑门结构.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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具有共享外延层的堆叠垂直传输场效应晶体管逻辑门结构.pdf

    一种半导体结构包括两个或更多个垂直鳍、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的给定垂直鳍的底部部分的底部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的顶部部分的顶部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的中间部分的共享外延层以及接触所述底部外延层和所述顶部外延层的连接层，所述连接层被设置到所述两个或更多个垂直鳍的横向侧。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116547788 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202080107673.0 (51)Int.Cl .

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