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具有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-08-09 发布于四川
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具有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法.pdf

    本发明公开了一种结构和方法，涉及一种带有电阻器和电容器的半导体结构、系统及其形成方法，该半导体结构具有通过单掩模工艺形成的电阻器结构和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。半导体结构包括位于衬底上的互连结构、位于互连结构上的第一绝缘层、位于第一绝缘层上并由第二绝缘层分开的第一和第二导电板、位于第一导电板上的介电层和位于介电层上第三导电板。第一和第二导电板的底面是共面的。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116564942 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310243777.X H01L 21/70 (2006.01)

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