SJ_T 11632-2016太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法.pdf

ICS 77.040H21SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T11632—2016太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法Test method for microcrack defects of silicon wafers for solar cell2016-09-01实施2016-04-05发布发布中华人民共和国工业和信息化 SJ/T11632—2016前 言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、浙江精功科技股份有限空司峨嵋半导体材料研究所。荷象RA藏抗本标准主要起草人：7YOFINDUSTRTIN卫国宏、黄黎、LATIONTECHNOL..一LOGLSDR SJ/T11632—2016太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法1范围本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）微裂纹缺陷的测试方法本标准适用于太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试，也可适用于硅片裂纹、杂质和孔洞缺陷的测试。在采用本标准提供的测试方法测试其他