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hvdc饱和电抗器暂态电路仿真模型 0 饱和电抗器的铁芯ct和涡流电阻模型 ac-cd交换装置是hvdc低压工程的核心。在传输的地方，电动汽车的直流电可以转换为直接（即循环）。在传输的另一端，直流电可以转换为通信（即逆变）。通常每组整流器由多组6脉动桥构成。为了提高换流器的耐压水平,每个桥臂(即单阀)又是由几十只(甚至上百只)晶闸管元件串联而成。 饱和电抗器的作用是保护晶闸管。在晶闸管开通瞬间,饱和电抗器表现出很大的阻抗,从而抑制了晶闸管开通浪涌电流的过快增长;针对晶闸管开通电流波形的高频振荡,饱和电抗器还可以发挥阻尼作用,避免第1波谷电流的过零。此外,在雷电过电压情况下,饱和电抗器将会承担大部分峰值电压,从而降低晶闸管的电压应力。但是随着负载电流的增加,饱和电抗器将会逐渐饱和,此时其铁芯电感和电阻几乎为0,因此也不会增加换流阀的有功和无功功率损耗。 换流阀饱和电抗器是由铁芯和线圈组成的。它可以等效为1台空载变压器,其中励磁电感和空心电感(即漏感)分别对应于饱和电抗器的铁芯电感和线圈空心电感。无论是励磁电感还是空心电感都可以通过有限元方法获得,但是饱和电抗器的涡流电阻则只能通过解析方法获得。主要原因是硅钢片和绝缘涂层的厚度较小,会造成ANSYS网格划分的困难。此外,由于负载电流波形是高度非线性的,因此就要求输入载荷步的采样点数足够多,从而降低了有限元算法的工程适用性。 在高压直流输电研究领域,饱和电抗器的铁芯电感和涡流电阻模型多被等效为电感电流的指数函数。然而这种模型仅适用于稳态计算,而且仿真精度低,不能反映饱和电抗器铁芯逐渐饱和的物理过程。目前波穿透理论已应用于非晶合金和硅钢片薄带的建模中。但是前人的研究成果还不够完善,例如,Fink忽略了饱和电抗器铁芯电感的影响, Cao博士则忽略了铁芯的径向逐渐饱和过程,从而降低了模型的仿真精度。 本文的贡献在于继承和发展了前人的研究成果:将饱和电抗器的铁芯电感等效为伏秒数受控的电流源模型;不仅研究了单片硅钢片“由表及里”的饱和规律,而且考虑了不同硅钢片在径向“由内而外”的饱和规律。经过电容器放电试验可知,本文提出的饱和电抗器模型具有更高的仿真精度。 1 饱和电抗器特性 饱和电抗器的暂态电路仿真模型如图1所示。图1中:urea和irea分别为饱和电抗器的电压和电流;Lair和Rcu分别为原边线圈的空心电感和直流电阻;Lm和Re分别对应于铁芯的非线性电感和涡流电阻;iL和iR分别为流过Lm和Re支路的电流;Ec为Re两端的电压。 1.1 铁芯和气隙的磁场强度 为了防止铁芯过快饱和,通常需要在2块U型铁芯的气隙处增加1块厚度很小的气隙垫片。 根据安培环路定律可知 式中:lFe为铁芯的平均磁路长度;lair为铁芯的气隙长度;HFe和Hair是铁芯和气隙内的磁场强度;H′ 为铁芯的等值磁场强度(考虑气隙后)。 由于真空磁导率 μ0是常数,因此气隙处的微分磁导率必然等于其静态磁导率 μair,即 一般地,气隙长度lair远小于铁芯的磁路长度lFe,因此气隙内的磁通密度Bair近似等于铁芯内的磁通密度BFe(忽略漏磁),即Bair=BFe。由此可知 因此,考虑气隙后,铁芯的等值磁场强度为 图2给出了铁芯的BFe和H′构成的等值磁化曲线(计算值和试验值)。图2中:lFe为597.6 mm; lair分别为0和0.40 mm。 1.2 uf0f2ectc磁线的制备 为了消除微分运算带来的计算误差,建议将饱和电抗器的非线性电感模型等效为受控电流源。 已知磁通密度与端电压之间的函数关系式为 式中:NT为线圈匝数;Nc为铁芯数量;Bav为平均磁通密度;Sa为铁芯截面积;Ec为Re两端电压; uf0f2Ecdt为饱和电抗器的伏秒数(即电压-时间曲线所围面积)。 在获得平均磁通密度Bav的前提下,根据图2的等值磁化曲线可以获得饱和电抗器电感支路的磁场强度H′,进而可以得到电感支路的电流 式中lenuf03dlFeuf02blairuf0bblFe为磁路的总长度。 由此可知饱和电抗器铁芯的非线性电感为 1.3 硅钢片的工作特性 波穿透理论的模型如图3所示。假设条件为:1硅钢片的磁化曲线如图3(a)所示;2在脉冲电压激励下硅钢片由表及里逐渐饱和,如图3(b)所示;3在不饱和区域内磁通密度为0。 1.3.1 材料的磁通密度 首先,以第1片硅钢片作为研究对象,且假设第1片硅钢片内的磁通密度等于平均磁通密度Bav。 根据磁通量相等原则可知第1片硅钢片的磁通穿透深度为 式中:B1为第1片硅钢片内的平均磁通密度;Bs为材料的饱和磁通密度;W和d分别为硅钢片的宽度和厚度。 1.3.2 应变传感密度n 在径向逐渐饱和的研究过程中,可以将如图4(a) 所示的U型硅钢片铁芯等效为如图4(b)所示的圆环模型。 由式(8)可知,第1片硅