SJ_T 2658.4-2015半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52031-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.42015代替SJ/T2658.4—1986半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode—Part 4: Total capacitance2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.42015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻FORMATAEAZETRY第6部分：辐射工-北TION辐射强度第8部分：第9部分富射强度空分布和度第10部副带宽TECHNOL响应时间第11部分：第12部分峰值发射和光谱辐射带宽；第13部分高度系数辐射功率第14部分结温；一第15部分热阻；第16部分光电转换本部分为SJ/058的第4部7本部分依据GB/2009《标准作导则第1部分：标准的结构和编给出的规则起草。本部分代替SJ/T-1986《半导体红外发光二极管测试方法电睿的测试方法》，除编辑性修26改外主要技术变化如-细化了总电容的测量步骤（见5.2）；S法的规定条件（见5.3）。补充了总电容测量方D本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。请注意本文件的某些内容可能涉及专利本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：-SJ/T2658.41986。 SJ/T2658.42015半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容1范围本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1总电容total capacitancec在规定的正向电压和频率下，被测器件两端的电容值。4一般要求测量总电容的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图总电容的测量原理图见1。 SJ/T2658.42015Co7DUT说明：DUT-被测器件；NHARG稳压源；INDUSTRYA电流表；TIONA电压表；Mc电容仪；Co隔离电TECHNOLOL电感。惠容测量原理图图费器测量步骤5. 2总电容的测量系统，并进行仪器预热按图1连接测2b)调节电容仪和稳压源，压和规定频率的信分别给施加规定的读取电容仪的读c)知1去隔离电容Co的等效值后即为被测器件的总电容值。7规定条件5. 3ARDS应规定以下条件：有关标准采用本方法时，环境温度；a)ANDb)正向电压；电容仪提供信号的频率和幅值。c) 中华人民共和国电子行业标准半导体红外发射二极管测量方法第4部分：总电容SJ/T 2658.4—2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址：*1开本：880×12301/16印张：字数：12千字22015年12月第一版2015年12月第一次印刷印数：200册定价：20.00元版权专有不得翻印举报电话：（010