西门子法钟罩炉内三氯氢硅氢还原CVD宏观动力学模型.docxVIP

西门子法钟罩炉内三氯氢硅氢还原CVD宏观动力学模型吴永【摘要】在已导出西门子法三氯氢硅氢还原生成Si-CVD过程本征动力学模型基础上，结合钟罩还原炉内气相物料的基本流动特征和传递-反应-CVD过程，采用反应工程学经典方法，对关键组分在圆柱状硅芯表面CVD层的浓度分布进行分析，导出浓度分布微分方程(零阶贝塞尔方程)和积分方程(零阶贝塞尔函数)，建立了Si的沉积速率模型，即考虑CVD层浓度分布时的平均沉积厚度模型和沉积质量模型忽略CVD层浓度分布时的平均沉积厚度简化模型和沉积质量简化模型. 【期刊名称】《中国有色金属学报》【年(卷)，期】2016(026)009【总页数】7页(P2042-2048)【关键词】反应工程;多晶硅;西门子法;三氯氢硅氢还原反应;化学气相沉积;宏观动力学模型【作者】吴永【作者单位】银川能源学院，银川750105【正文语种】中文【中图分类】TQ013.2;O613.72多晶硅(EG)是电子信息产业的关键基础材料，具有极其重要的战略地位；多晶硅(SG)又是太阳能光伏产业的关键基础材料，是具有重要战略地位的新能源材料。改良西门子法是当今生产高纯多晶硅的主流技术。我国的多晶硅产业起步虽晚，但发展快，生产工艺主要系引进加吸收的改良西门子法，到2009年多晶硅产能已达146750t/a，成为多晶硅生产大国，其中，太阳能电池产量2007年已达821MW，居世界第二，仅次于日本（920MW）［1-2］。多年来，高纯硅生产技术一直被欧美日等发达国家垄断，对我国实行技术封锁，故虽有引进的生产技术与装备，但并非当今先进水平［2-5］。还由于企业及行业快速发展过程中存在的诸多问题，加上2012年以来欧美国家联手对我国多晶硅太阳能产品实行制裁，致使一些企业处境困难，有的破产，有的企业至今仍未走出困境。因此，加强多晶硅生产技术和相关理论研究，加速专业人才培养、促进产业技术进步至关重要。2010年7月，教育部颁发了《同意设置的高等学校战略性新兴产业相关本科新专业名单》，其中如微电子材料、新能源材料等多个专业都涉及到硅材料技术。此举对硅材料方面的人才培养和技术进步必将发挥重要推动作用。 有关西门子法钟罩炉内三氯氢硅（SiHCl3，即三氯甲硅烷）氢还原生成Si-CVD过程动力学方面，国内系统理论研究滞后，资料匮乏，既不能满足专业教学的需要，又无力对企业技术进步和消化、吸收国夕卜技术提供理论指导，不适应产业快速发展对高校专业人才培养的需要。20世纪80年代，著名冶金学家和半导体材料专家沈华生曾对Si-Cl-H三元系统的反应机理做过研究，并在半工业性装置（三对硅芯、四对硅芯还原炉）上进行过实验，对设备的设计要求及工艺条件进行了探讨，但未给出动力学模型，援引7BAWA的由流速、分压梯度、温度、硅棒直径等关联的沉积模型（回归式）［6］。近些年，还见到有关动力学数值模拟方面研究，如张攀等［7］应用流体力学软件对三氯氢硅和氢气系统中多晶硅化学气相沉积做过数值模拟；张华芹等［8］采用流体力学（CFD）软件对还原炉内的气相沉积过程进行模拟计算并绘制出硅棒形象图；段连［9］也对还原炉温度、流场、能耗做过类似模拟。YANG［10］提出CSTR模型，假定气体在反应器中充分混合；后来又出现了传递限制和反应限制模型，如FALLER和HURTLE［11］的化学反应限制模型，该模型假定硅芯棒表面的关键组分的浓度的等于通入反应器时的初始浓度，忽略了传递对CVD过程的影响。此后又提出考虑化学反应和传递过程影响的完全模型。侯彦青［12］在这方面做了大量工作，介绍了有关西门子反应器模型研究情况，评述了Coso的完全模型存在的主要缺陷，并提出了完全模型，即化学反应限制和传递过程限制模型，列出了气相守恒方程（包括线动量守恒、总质量守恒、单个物质质量守恒、能量守恒等），动力学-传递模型（包括动量传递、热量传递、化学物质的质量传递）等；做了参数计算；应用该模型研究了进料气流速度、气体组分、硅棒表面温度、进料气体温度和压强对沉积速率及生成单位质量多晶硅的能耗和硅表面HCl摩尔浓度的影响；分析研究了电加热（直流和交流）硅芯棒热传递模型。侯彦青的研究系统、全面，具有一定的价值，尤其是热力学分析部分；但其建模的核心部分第五章的5.3和5.4存在某些误区，未给出正确、明晰的宏观动力学模型。 西门子法钟罩炉内三氯氢硅氢还原过程，属于〃三传一反”过程，主要矛盾是伴有质量（物料）传递和能量（电能-热能）传递的化学反应问题（由于传递-反应过程中气相流体的压力降较小，可忽略动量传递），不是空气动力学或流体力学问题。至于应用流体力学软件模拟西门子法传递-反应过程是否妥当，还需在理论上探讨，经受实践检验。 王樟茂等［13］在喷动流化床实验装置中对SiHCl3制取颗粒硅的动力学做过系统研究，包括反应动力学模型