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坩埚结构和晶体生长设备.pdfVIP

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  • 2023-08-16 发布于四川
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坩埚结构和晶体生长设备.pdf

    本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚结构和晶体生长设备。坩埚结构包括坩埚体，坩埚体内包括用于容纳碳化硅粉料的原料腔室；坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体；以及至少两个环状装置，环状装置位于原料腔室内，环状装置的外壁均抵持在坩埚体的内壁上，环状装置的环面上均开设有多个沿轴线方向贯穿的微孔；多个环状装置沿轴线方向间隔布置；沿坩埚体到坩埚盖的方向，相邻的多个环状装置的内径具有增大趋势。如此能够对晶体生长过程中更易碳化的边缘粉料处进行针对性阻挡，来有效过滤所产生的微小碳颗粒，降低碳化硅单晶中的

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219526866 U (45)授权公告日 2023.08.15 (21)申请号 202320143722.7 (22)申请日 2023.01.18 (73)专利权人 湖南三安半导体有限责任公司 地址

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