用于WPT的高效率氮化镓E类功率放大器研究.docxVIP

? ? 用于WPT的高效率氮化镓E类功率放大器研究 ? ? 杨 沛 ,唐 君 ,袁 芳 ,郭玉洁 ,张 旭 (1.中国科学院半导体研究所,北京 100083;2.中国科学院大学 电子电气与通信工程学院,北京 100049) 无线供能的概念是19 世纪90 年代美国工程师特斯拉[1]提出的,并进行了实验验证。此后一直到2007年,美国麻省理工大学的研究团队首次实现磁共振[2]的无线能量传输电路,大大促进了无线供能的发展。无线供能目前已广泛应用于消费电子领域如手机无线充电、智能手表、电动牙刷[3-5],以及医疗电子领域如脊髓刺激、脑植入、心脏起搏器[6-8]等。因此,提高无线能量传输系统的效率,促进WPT 在能量传输领域的发展,成为当前无线能量传输领域的热门研究课题。 合理设计发射模块的功率放大电路可以有效提高无线能量传输系统的效率。目前,无线能量传输系统的发射电路广泛采用桥式逆变器拓扑或线性功率放大器,存在输出频率有限、逆变器功耗高等问题。就E类功率放大器而言,其可以通过参数调节实现零电压开关(ZVS),理论效率可达100%,能最大限度地降低功耗[9-10]。如储江龙等[11]选用飞思卡尔公司的MRF6V2300N 型场效应晶体管作为功率管,在8.5 MHz 工作频率下,PAE 最大可达92.2%。崔顺等[12]通过对E 类功率放大器负载进行阻抗匹配设计,传输效率最高达到89.3%。 但是,在上述已有的工作中,都是基于硅基器件进行电路设计,由于功率管导通阻抗和电路参数设计等原因导致的一系列损耗使得E 类功率放大器的传输效率离理论效率尚有一段距离。因此,为提高E 类功率放大器的传输效率,本文设计了一款工作频率为13.56 MHz 的基于GaN 的高频高效E 类功率放大电路。将GaN 晶体管模型导入先进设计系统Advanced Design system(ADS),建立了E 类功率放大器的仿真电路并进行仿真,主要包括电路静态工作点选取、稳定和偏置网络设计、阻抗匹配和整体电路调试等工作,并给出了仿真结果。仿真结果表明,通过引入氮化镓晶体管,凭借其高电子迁移率和低导通阻抗的优良特性以及本文良好的阻抗匹配电路设计成功降低了损耗,使PAE 最大可达97.4%,接近E 类功率放大器理论最大效率。本文所设计的E 类功率放大电路具有高效率、大功率的特点,可作为高效率电源元件用于可穿戴和便携式电子设备的无线能量传输系统,从而有效改善此类应用的能量传输效率和传输距离。 1 理论分析 首先对WPT 系统的传输效率和E 类功率放大器的损耗进行理论分析。双耦合线圈WPT 系统等效电路如图1 所示,其中US为电源,RS为电源内阻,LTX和LRX分别代表发射线圈和接收线圈的电感,R1和R2分别代表LTX和LRX电感的等效阻抗,CTX和CRX分别代表发射端和接收端的谐振电容,RL是等效负载,M 是线圈的互感。 图1 双耦合线圈WPT 系统等效电路Fig.1 Equivalent circuit of dual-coupling coil WPT system 根据等效电路理论模型,发射电路和接收电路的等效阻抗Z1、Z2可以分别表示为: 假设发射回路电流为I1,接收回路电流为I2,对两个回路运用基尔霍夫定律有: 则可以得到WPT 系统的输出功率(Pwpt-out)和传输效率(η)为: 当发射线圈和接收线圈谐振时,输出功率和传输效率达到最大,此时Z1和Z2的虚部为零[2]。则方程(5)和(6)可以表示为: 由公式(8)可知WPT 的传输效率η和谐振频率ω成正比,根据ISM 频段划分规则,本文将谐振频率选择为13.56 MHz,相比于目前更加广泛应用的kHz 级谐振频率,MHz 级谐振频率可以显著提高传输效率和传输距离。 E 类功率放大电路的等效电路如图2 所示,E 类功率放大电路的功率损耗主要包括饱和电压引起的功率损耗和饱和导通电阻导致的损耗。根据文献[13],饱和电压和饱和导通电阻导致的损耗可表示为: 图2 E 类功率放大电路等效电路图Fig.2 Equivalent circuit of class-E power amplifier 式中:PV为饱和电压导致的损耗;Vsat为饱和电压;VDD为电源电压;Pi为输入功率;PR为饱和导通电阻导致的功率损耗;Ron为饱和导通电阻;RL为负载电阻;g为中间量[14]。 通过方程(9)～(10)可知,E 类功率放大器的开关功率损耗与饱和电压以及饱和导通电阻成正比,而饱和电压又与饱和导通电阻成正比。因此,为了减小功率损耗,提高效率,要求功率开关管的导通阻抗要小。 经过上述分析,本文选择宜普电源转换公司的EPC2016C 型晶体管作为开关管,EPC2016C 是用宽禁带半导体材料制造的GaN 功率晶体管,具有高的电子