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具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法.pdf

    本发明涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的GaN基肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、电极制作。其能降低漂移层的等效电阻，提高单位面积的电流密度和面积使用率，从而提高了二极管的正向电流密度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116631866 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310293807.8 (22)申请日 2023.03.24 (71)申请人 江苏芯港半导体有限公司 地址 2

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