模拟电子技术教程第2章习题.docVIP

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  • 2023-08-25 发布于山东
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第2章习题答案 1.观点题: (1)常温下,N型半导体在导电时有空穴载流子参加吗?(有)P型半导体在导电 时有电子载流子参加吗?(有) (2)在不加外电压时,PN结内部有没有电子的运动?(有)将P极和N极相连并 串接电流表会有电流指示吗?(无) 3)PN结加正向电压时空间电荷区将变宽吗(不是)P+N结加反向电压哪边将变得更宽(N边) 4)作漂移运动的必定是少量载流子吗?(不必定)处于放大状态的晶体管,集电 极电流是多子漂移运动形成的吗?(是) (5)拿2个二极管能否构成1个三极管?(不可以)三极管能否当二极管用?(能够) (6)以下哪些元件为双极型器件?(A、B)哪些元件为单极型器件?(C、D) A.二极管、稳压管B.三极管C.结型场效应管D.MOS管 (7)H参数等效模型合适(A、C、D)。 A.中低频电路B.高频电路C.小信号输入D.沟通剖析 (8)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有(A、C)。 A.结型场效应管B.加强型MOS管C.耗尽型MOS管 (9)半导体导电特色和金属导电的特色的不一样点是电子和空穴都参加导 电。 (10)二极管主要的特色是单导游电性,保证二极管安全工作的两个主要参数分别是 最大整流电流和最大反向电压。 (11)在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降 约为0.7V;锗二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2V。 (12)某稳压管拥有正的电压温度系数,那么当温度高升时,稳压管的稳压值将上 升。 (13)将3V和6V的两个稳压管以正反方向及串并联进行组合,可获得5种有效的形 式,等效稳压值分别为3V、9V、3.7V、6.7V、0.7。 (14)PN结拥有结电容效应,凡用PN结构成的电子元件,在信号频次较高时必 须考虑这类效应。 (15)变容二极管在工作时也要加偏置电路吗?(需要)发光二极管在工作时要串连 一个电阻,不然会因电流过大而破坏。 (16)三极管输出特征曲线中饱和区和放大区的分界限标记为UCB=0,截止区 和放大区的分界限标记为IB=0或IC=ICEO。 1 (17)当三极管工作在放大区时,两个PN结的特色是发射结正偏、集电结反 偏 。 (18)耗尽型FET管输出特征曲线中可变阻区和恒流区的分界限标记为 UGD=UGS(off),截止区和恒流区的分界限标记为 UGS=UGS(off);加强型FET管输出特征曲 线中可变阻区和恒流区的分界限标记为 U=U ,截止区和恒流区的分界限标记为 GDGS(th) U=U GS(th) 。 GS (19)在0|U||U GS(off) |,|U ||U |且两者同号的 前提下,JFET管或耗 GS GDGS(off) 尽型MOS管工作在放大区。 (20)当N沟道加强型MOS管工作在放大区时,其外面管脚间的电压特色是 |UGS||UGS(th), |UGD||UGS(th)| 且两者同号 。 2.如图2-64所示电阻分压式电路,输入电压 ui为正弦信号,峰值为 0~100V。要求输 出uo为0~5V,输出阻抗小于 1kΩ,分压精度优于 1‰,请给出R1、R2的阻值、功率和精度。 R1 + + ui R2uo _ _ 图2-64 习题2电路图 解:依据输出阻抗要求,选 R2=1kΩ,则R1=19kΩ;因功率为(0.707*50)2/20=62mW, 故电阻功率选1/4W;有风压精度要求,选电阻的精度等级为0.05%。 3.如图2-65 所示,电路输入u 为220V、50Hz沟通电压,断开电容 C画出u、u 对 i i o 应波形;假如把C接入,请剖析uo波形的变化,并说明对C有何作用?怎样选择其何参数? 解: D 提示:断开C时,为单向整流; + + 接入C时为整流滤波电路, ui C R uo C的耐压大于250V _ _ (波形略) 图2-65 习题3电路图 4.电路如图2-66所示,ui为127V、400Hz沟通电压,画出ui和uo对应波形。并说明 电感L有何作用?怎样选择其参数? D L + + ui C1 C2RLuo _ _ 图2-66 习题4 电路图 解: 该电路是半波整流LCπ型滤波电路;L的作用是克制电流的变化,使输出波形光滑。 2 (波形略) 5.二极管电路如图2-67所示,试判断图中的二极管是导通仍是截止,并求出A、O两 端电压UAO。设二极管是理想二极管。 D D A A 6kΩ 6kΩ 12V 18V 18V 12V O O (a) (b) 1 D2 D2 A A D1 10kΩ 9V 10kΩ 9V 6V 15V 15V O O (c) (d) 图2-67习题5电路图 解:(a)导通,-12V(b)截止,-12V(c)D1截止,D2导通,-9V(d)D1截止,D

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