VDMOS的热特性研究1要点.docxVIP

目录 序言 电力电子器件及 VDMOS 管的发展概况… 2 第一章 VDMOS 管的特性… 3 工作原理的简介… 3 功率 VDMOS 器件的主要电学参数… 5 第二章 功率 VDMOS 热特性… 6 晶体管的热特性… 6 理论分析 VDMOS 器件的热特性… 7 温度对导通电阻R 的影响… 7 DS(on) 温度对阈值电压 Vth 的影响 9 温度对漏-源击穿电压 V 的影响… 10 (BR)DSS 温度效应在 I -V 曲线的体现… 11 D GS 晶体管与 VDMOS 器件性能的比较… 12 第三章 VDMOS 热特性的实验 12 温度对 VDMOS 器件电学参数的影响… 12 导通电阻 R 的温度效应… 12 DS(on) 阈值电压 V th 击穿电压 V 的温度效应… 13 的温度效应 13 I -V （BR）DSS 的温度效应… 14 D GS 3.1.5 小结 14 用电学法来测量 VDMOS 器件的热特性 15 3.3 总结… 17 第四章 结论… 17 致谢 18 参考文献 18 备注 18 英文摘要 18 PAGE PAGE 21 功率 VDMOS 的热特性研究 晋方先 重庆三峡学院物理与电子工程系电子信息工程专业05 级重庆万州 404000 摘 要: 阐述了垂直导电双扩散型 VDMOS 管的发展概况,分析了 VDMOS 管的结构特点、工作原理、特性曲线、主要参数,归纳了它的技术特点与优势,重点阐述 VDMOS 管的热特 性，功率 MOS 场效应晶体管是在 MOS 集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件, 在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor) 新结构诞生以来, 电力MOSFET 得到了迅速发展。VDMOS 兼有双极晶体管和普通 MOS 器件的优点。 与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导 高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题， 安全工作出了区大。据统计， 电子设备的失效有 55％是温度超过规定值引起的，随着温度的增加，电子设备的失效率呈指数增长。所以，对功率器件热特性的研究是电子设备结构设计中不可忽略的一个环节，它直接决定了产品的成功与否，VDMOS 器件也一样，当然对VDMOS 器件热特性研究也就具有重要的现实意义。下面从 VDMOS 的基本结构出发，详细介绍VDMOS 功率器件的热特性并从实验的角度论证功率VDMOS 器件的热特性。 关键词 ：功率 VDMOS 特性曲线 热特性 参数 序言 电力电子器件及 VDMOS 管的发展概况 在五十年代末晶闸管问世以来,电力电子器件便开始出现,并运用在越来越多的领域。由于 晶闸管是一种只能控制导通,而不能控制关断的半控型开关器件,在交流传动和变频电源的应 用中,如不附加强迫换流电路就无法使用。70 年代以后陆续发明的功率晶体管(GTR)、门极可关断晶闸管(GTO)、功率 MOS 场效应管(POWERMOSFET)—目前常用 VDMOS 结构或简称 DMOS、绝缘栅极晶闸管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)和静电感应晶闸管(SITH)等等,现在统称为第二代 电力电子器件或功率集成器件,是既能控制其导通,又能控制其关断的全控型开关器件。80 年代,电气传动调速控制技术取得了突破性进展,其主要推动力之一是这些高性能半导体功率器 件的出现,特别是在数千瓦的小功率范围内,它们大有取代双极型晶体管之势。80 年代中期,又出现了第三代电力电子器件—功率集成电路(POWER IC),进一步把功率等级不同的驱动、保护、检测和功率输出单元集于一体,使应用更为方便、可靠。 早期的 MOS 场效应晶体管是平面水平沟道结构。虽然漏极电流可达数安培,漏极电压可达100V 以上,但是由于导通电阻 Ron 大,频率特性差,硅片面积利用率低等缺点,因而一直未能得到推广。直到 1976 年美国Siliconix 公司首先成功地将VMOS 技术移植到MOS 器件上, MOS 场效应管才真正进入功率领域,从而产生了垂直导电型MOS 功率场效应晶体管(简称 VMOS 管)。自从垂直导电双扩散VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来,电力MOSFET 得到了迅速发展。由于其独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性、以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、工业控制,电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节