超大规模集成电路先进光刻理论与应用_半导体行业（三十九）——高级光刻工艺（一）....pdfVIP

超⼤规模集成电路先进光刻理论与应⽤_半导体⾏业（三⼗ 九）——⾼级光刻⼯艺（⼀）... 特征图形尺⼨减⼩到纳⽶范围，伴随着更⼤直椏的晶圆，增⼤了对低缺陷密度的需求，增⼤了芯⽚密度和尺⼨，已对芯⽚制造⼯业界挖掘各 种传统⼯艺的潜能和开发新的⼯艺技术提出挑战。接下来我们将探讨达到纳⽶尺度电路遇到⼀些问题和现在的⼀些解决办法。包括后光学光 刻技术的讨论，综合起来称为下⼀代光刻技术(NGL)。 接下来的⼩编将分段为⼤家展开介绍： 1.描述4种与曝光有关的效应，这4种效应都会引起光刻图形畸变。 2．描绘双层光刻胶⼯艺的截⾯流程图。 3．描绘双⼤马⼠⾰制程⼯艺的截⾯流程图。 4．列举两种平坦化技术。 5．说出图像反转⼯艺的优点。 6．捲述抗反射涂层，反差增强涂层和光刻餃染⾊剂是怎样改进分辨率的。 7．识别光刻掩模版的薄膜部分并能讲出它对光刻⼯艺的贡献。 ⼀、VLSI/ULSI集成电路图形处理过程 中存在的问题 在之前我们详细描述的10步图形化⼯艺是单层光刻胶成像的基本⼯艺。这对于中规模(MSI)、某些简单