乙烯基倍半硅氧烷正硅酸四乙酯杂化膜的制备及性能.docxVIP

乙烯基倍半硅氧烷正硅酸四乙酯杂化膜的制备及性能 在最初的工作中，我们报道了通过l-（2.3-环氧树脂）丙基三级甲氧化钾（pmms）和-（甲基丙烯酸）丙烯酸-磺酸（pmms）的水反应来获得sri及其膜材料。在表土中显示乙烯基三甲基硅烷（vms）的解决方案（vms-s，s）的结构后，验证了vs膜材料（m-vs）的性能，并讨论了不同teo含量对膜材料性能的影响。 1 实验 1.1 试剂、仪器和试剂 乙烯基三甲氧基硅烷(VMS)(哈尔滨市化工研究院);正硅酸四乙酯(TEOS),试剂纯,天津市化学试剂一厂;四氢呋喃(THF),纯度为99.7%,天津市化学试剂一厂;甲酸(HCOOH),纯度为88%,天津市化学试剂一厂;过氧化苯甲酰(BPO),化学纯,≥95%,北京科华特中世纪联合开发中心. 1.2 vms-副vms-副3-5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,5,7.2.3,5.2.3,5.2.3,5.2.3,5.2工作原理 将VMS、THF、H2O和HCOOH按一定比例加入烧杯中,在水浴锅或保温箱中,控制温度,使整个反应在低于50 ℃条件下进行10 d左右,即可得到VMS基倍半硅氧烷(VMS-SSO或VS). 将VMS和TEOS按质量比:95∶5、90∶10、85∶15、80∶20、75∶25和70∶30混合均匀,反应在低于40 ℃条件下持续几天,即可得到用TEOS改性的VS(VMS-SSO-TEOS,VST). 分别将VS和VST用THF稀释,加入适当量的BPO,混合均匀后,采用浸膜法在载玻片上成膜,浸膜速度为27 cm/min.涂膜后的玻璃基体分别在80 ℃固化6 h和120 ℃固化2 h. 1.3 外光谱的测定 用傅里叶变换红外光谱(FTIR)表征VS体系的官能团.FTIR测试在Avatar360(Nicollt公司,美国)红外光谱仪上采用全反射的方法进行. 用LDI-1700基质辅助的激光解吸/电离——飞行时间质谱仪(UV-MALDI-TOFMS)(LinearScientific公司,美国)确定SSO各分子的相对分子质量.氮激光器波长为377 nm,脉冲宽度为3 ns,检测器电压为-4.75 kV,m/z为0~3 000,采用负离子谱检测,所用基质为3-吲哚丙烯酸. 1.4 teos膜层的热性能 用ShimadzuSPM-9500J2型号扫描探针/原子力显微镜(SPM/AFM)(Shimadzu公司,日本)测试膜的表面形态;用HitachiS-570型扫描电镜(SEM)(Hitachi公司,美国)测试膜厚度;采用DSC-141差热分析仪(SETARAM公司,法国)测试含不同TEOS膜层的玻璃化转变温度(Tg);热失重用ZRY-2P热分析仪(上海仪器公司)测定;在NI XP纳米压痕仪(Mechanical Testing Simulation Systems 公司,美国)上进行力学性能(硬度和模量)测试. 利用M 263A型恒电位仪、M 5210型锁相放大器和352 SoftCorr III 腐蚀测量处理软件(AMETEK公司,美国)测试膜的电化学腐蚀性能,参比电极为饱和干汞电极,铂电极作辅助电极.分别测试未涂膜和涂膜铝合金片(LY12)在质量分数为3.5%NaCl溶液中的电位极化曲线和电化学阻抗谱.测试电压扫描范围-1.0~1.2 V,扫描速率2 mV/s,测试面积为1 cm2;EIS测试在开路电压下进行,20 mV的正弦波电位扰动,扫描频率为105~10-2Hz.采用Bruno Yeum开发的Zsimp Win 3.00数据处理软件对测得的交流阻抗谱进行等效电路模拟. 2 结果和讨论 2.1 uv-maldi-tof-msws 水解缩合反应在35 ℃进行10 d后,产物官能团的红外特征峰(cm-1)为:1 276(C—H),1 409和1 602处(CHCH),968(Si—C). 上述各峰为原材料VMS的特征峰. 3 319左右为OH峰,这是由于VMS溶胶-凝胶过程中未完全缩合的Si—OH伸缩振动的红外吸收或材料中吸附水的特征吸收;2 900 cm-1附近和1 276 cm-1处为O—CH3中的C-H振动吸收峰,759(Si—O—C),源于样品中VMS的不完全水解或者再度酯化,主要存在于甲氧基中;896(O—Si—O);1 007(Si—O);1 085(Si—O—Si);正是通过这种Si—O键的连接形成了杂化材料中的SiO2无机相,这表明由于VMS分子上的Si—OCH3基在溶胶-凝胶过程中与VSSO体系中的Si—OH之间进行了缩合反应,使得有机聚合物分子链与无机网络之间形成了化学键的相互作用,从而构成了VSSO体系中复杂的Si—O—Si相互交联网络结构. 图1显示了VS的UV-MALDI-T