压接型IGBT器件内部杂散电感差异对瞬态电流分布影响规律研究.pdfVIP

2023 年 6 月 电 工 技 术 学 报 Vol.38 No. 11 第 38 卷第 11 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Jun. 2023 DOI:10.19595/ki.1000-6753.tces.220044 压接型 IGBT 器件内部杂散电感差异对 瞬态电流分布影响规律研究 彭 程 李学宝 范迦羽 赵志斌 崔 翔 （新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学） 北京 102206 ） 摘要 压接型IGBT 器件内部多颗芯片的并联连接是提高其电流等级的重要手段。然而，IGBT 芯片之间的瞬态电流不均衡是限制其电流提升的主要原因之一。研究压接型 IGBT 器件内部的瞬 态电流分布规律对于规模化 IGBT 并联封装设计具有重要意义。该文首先通过有限元软件提取了 压接型 IGBT 器件内部的栅极、集电极和发射极的杂散电感，得到三个杂散电感随 IGBT 芯片不 同位置的变化规律；其次对三个杂散电感差异下的电流分布进行了理论分析，发现电流分布主要 受到功率回路和驱动回路的公共支路上杂散电感的影响；同时分别对开通和关断过程中 IGBT 芯 片内部的载流子变化过程进行分析，发现发射极杂散电感差异主要影响开通过程的电流不均衡； 然后针对三个杂散电感差异分别进行电路仿真，得到杂散电感差异对电流分布的影响规律，仿真 结果验证了理论分析的有效性；最后建立了两芯片的并联均流双脉冲实验平台，平台能够调节两 支路之间的杂散电感差异，实验结果进一步验证了该文理论分析的有效性。 关键词：压接型IGBT 器件 瞬态均流 功率回路 驱动回路 杂散电感 中图分类号：TN307; TM46 0 引言 致芯片间出现电流不均衡现象，从而限制了器件的 安全可靠运行，因此研究压接型 IGBT 器件内部的 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar 并联均流问题具有重要的学术意义。 Transistor, IGBT ）自 20 世纪 80 年代被发明以来， 经过几十年的发展，已经成为主流功率半导体器件， [1-2] 在电力变换领域占据了非常重要的地位 。 相比于传统的焊接型 IGBT 模块，压接型 IGBT 器件（Press-Pack IGBT, PPI ）依靠机械压力将内部 IGBT 芯片并联连接在一起，取消了焊接 IGBT 模块 中常用的绑定线连接，使之具有双面散热、失效短 路等优点，已经在高压大功率领域得到了广泛的应 用[3-4] 。虽然压接型 IGBT 器件有许多优点，但同时 也面临诸多挑战[5] ，由于压接型 IGBT 器件电流等 级的增大，其内部需要大量的 IGBT 芯片并联使用， 以图 1 所示的 3.3 kV/1 500 A 压接型 IGBT 器件[6]为 图 1 压接型 IGBT 器件内部结构[6] 例，其内部含有 30 颗 IGBT 芯片及 14 颗快恢复二 [6] Fig.1 The internal structure of press pack IGBT device 极管（Fast Recovery Diode, FRD ）芯片。由于 IGBT 关于压接型 IGBT 器件内部的芯片间并联均流 芯片间参数的差异以及器件封装参数的差异，会导 问题，自其诞生以来已有很多学者进行了大量的研 究。此问题分为稳态均流和瞬态均流[7] 。