面向单片光电子集成的新型材料系理论研究与异变外延生长实验的中期报告.docxVIP

面向单片光电子集成的新型材料系理论研究与异变外延生长实验的中期报告 本研究以面向单片光电子集成的新型材料系理论研究和异变外延生长实验为目标，已完成了中期报告。主要工作如下： 一、新型材料系理论研究 1. 系统地梳理了当前单片光电子集成中常用的材料系，包括III-V族材料、II-VI族材料、硅基材料等。对每个系列的基本物理特性、生长条件和应用方向进行了总结和分析。 2. 在III-V族材料系中，系统研究了AlGaAs/GaAs/GaAsP异结的电子结构和输运性质。通过密度泛函理论计算和第一性原理研究，发现了材料中的能带偏移和能隙调控机制，并提出了有效的增强电子传输的方法。 3. 在II-VI族材料系中，研究了CdS和ZnSe的异质结的形成机制，尤其是在窄带隙材料中的异质结调控。采用分子束外延法生长CdS/ZnSe异质结，制定了优化生长条件的方案，得到了高质量的异质结材料。 二、异变外延生长实验 1. 采用分子束外延法生长了AlGaAs/GaAs异结和CdS/ZnSe异质结。通过先进的表征手段如XRD、SEM、TEM等表征了材料的结构和物理特性。 2. 研究了生长参数对异质结质量的影响，包括生长温度、生长速度、材料流量等参数，制定了优化生长参数的方案。 综上，本研究已完成了新型材料系的系统研究和异变外延生长的实验研究，并取得了阶段性成果。下一步将继续深入探究材料系的电子结构和输运性质，优化生长参数，提高异质结材料的质量和性能，为单片光电子集成的发展贡献力量。