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mram数字设备的潜在替代 mram的简介 磁阻是指磁体在磁体中的电阻器。/描述。一般金属导体的Δρ/ρ很小, 只有约10-5%, 而某些磁性金属或合金材料, Δρ/ρ可达30%以上。电阻变化率越大, 在区分0、1状态时的误操作越少, 因而可以提高工作速度。 人们对于物质磁电阻特性的研究由来已久, 早在20世纪40年代人们就发现了磁电阻效应。MRAM (磁电阻随机存储器) 的研究开始于20世纪80年代初, 在1994年, 美国Honeywell公司研发了一种使用巨磁阻薄膜技术的MRAM并投入了生产。但是, 由于它的读取写入时间过长并且集成度低, 所以其应用只局限于太空和军事领域。近年来, 随着通信设备、移动设备和数字式消费家电的功能和性能的显著提高, 迫切需要有一项新的存储技术能够满足日益增长的速度、功能和功耗等需求, MRAM能够实现当前常规半导体存储器的各种功能, 于是便再度发展起来, 众多大型半导体公司包括Motorola、IBM、Infineon、Renesas、NEC、Toshiba等都竞相投入商业化产品研发。对于MRAM作为下一代存储器, 人们寄以很高的期望, 并有取代当前各种主流半导体存储器的趋势。 MRAM是指以磁电阻性质来存储数据的随机存储器。它采用磁化方向不同所导致的磁电阻不同来记录0和1, 只要外部磁场不改变, 磁化的方向就不会变化, 不像DRAM为了要保持数据需让电流不断流动, MRAM不需要刷新的操作。从原理上来看, MRAM的重复读写次数近乎无限次, 其读取和写入速度接近SRAM。同时, MRAM的存储单元小, 在存储容量上可与DRAM相比拟。此外, 穿隧式磁电阻材料还有半导体材料所不具有的电阻值大的特点, 使得其组件的功耗低。MRAM兼具非易失、高速度、高密度、低功耗等各种优良特性, 所以被认为是电子设备中的理想存储器。另外, MRAM由于是金属材料为主, 因此抗辐射能力远较半导体材料强。 与现有的静态存储器SRAM、动态存储器DRAM和快闪存储器Flash相比, MRAM性能都是非常优秀的。表1对这几种半导体存储器的特性作出了一个比较。 MRAM所带来的另一个好处是允许将多种存储器功能集成到一个芯片上, 从而削减对多个存储器的需求、相应的成本和设备的大小, 降低系统的复杂性, 提高成本效益并延长电池寿命。 mtj存储及存储的磁于意涵的磁通聚集 目前MRAM单元的常用结构是采用一个晶体管 (1T) 和一个磁性隧道结 (1MTJ) 共同组成一个存储单元, 如图1所示。MTJ组件的一个电极连接到隔离晶体管的漏极, 另一个电极连接到位线。MTJ为三层结构, 有两个磁性层, 在这两个磁性层中间夹着一个厚度在纳米级的非磁性中间层, 电流垂直由一磁性层透过隧道结流过另一磁性层。巨磁阻 (GMR) 型的非磁性层常由铜等金属所构成, 其界面处的传导电子会呈现漫游现象, 传输电子具有极化特性。穿隧 (TMR) 型的非磁性材料采用Al2O3等绝缘体, 自旋极化电子的穿隧率随极化方向而改变。当上下两个磁性层的磁化方向平行时, MTJ的电阻会较反平行时小。两个磁性层的其中一层与相邻单元的相应磁性层有强的交互耦合作用, 其磁化方向保持不变, 称为固定层。另一个磁性层的磁化方向可以受电流磁场而反转, 称为自由层。承载线电流的导线周围具有由软铁磁材料构成的磁通聚集覆层, 用以聚集线电流所产生的磁场, 该结构和无磁通聚集层时相比可以降低一半左右的线电流, 在将磁通聚集在存储单元内的同时还可以降低写入时不同单元间的串扰。 将MTJ集成到晶体管顶端的结构可以实现更小的单元尺寸, 使存储器具有快速的读写速度和较低的成本, 有望使得MRAM替代除了最快的SRAM以外的闪存和DRAM半导体存储器件。 目前MRAM的读写方式是将多个记忆体元件加以集成后, 用相互垂直的两根导线连接, 并以MOSFET当作开关。写操作时, 隔离晶体管处于关闭状态, 位线和数据线电流磁场共同作用于自由层, 自由层的磁化方向受控于位线电流的方向。每根线提供磁化方向反转所需的一半电流, 单独一根线的作用不足以使磁化方向发生改变, 因此未被位线和数据线选中的存储单元状态不会发生改变。在写入操作的磁化过程中, 一根线提供MTJ易磁化方向的磁场, 另一根线提供难磁化方向的磁场, 两根线交叉处的磁场峰值超过自由层的开关阈值从而实现其磁场方向的反转。 读操作时, 隔离晶体管处于导通状态, 电流从位线流入MTJ和晶体管, 电流脉冲的大小取决于MTJ的电阻大小, 再经过与一个参考点比较后判决出当前MTJ是处于0还是1状态。考虑到MTJ的个体特性的差异, 参考电阻通常建立在若干个MTJ的组合上, 参考电阻值取最大磁电阻和最小磁电阻的平均值。例如Freescale公司的中值参考电阻