纳米孪晶金属的强化原理及纳米孪晶金属的制备.docxVIP

纳米孪晶金属的强化原理及纳米孪晶金属的制备 材料强化是长期存在的材料领域的中心研究方向。目前，材料的基本强化方法主要包括：适应性强化、固溶强化、偶氮强化、颗粒强化和二相分散强化。这些增强技术的本质是在材料中引入各种缺陷（点、线、面、体缺陷），以阻碍位错运动，提高材料强度。图1a和图1b简要介绍了晶体金属和材料中上述一般强化原则。然而，这些传统的增强技术显著降低了材料的刚性、耐性和导电性：高材料的塑料、塑料薄膜和耐酸性较低，但具有良好塑料、耐酸性和耐荫的金属（如cu或al）的强度较低。如何提高材料的强度，避免损失良好的涅盘性和导电性，是材料领域长期必须解决的难题。 以细晶强化为例,非共格晶界阻碍位错运动(图1b),因此,材料晶粒尺寸愈小晶界愈多,塑性变形愈困难,正如Hall-Petch关系所示.当晶粒尺寸细化至100 nm以下时(即纳米晶体材料),强度和硬度显著提高.当晶粒尺寸小于10—15 nm时,屈服强度可达普通粗晶体的10倍以上,并表现出高的应变速率敏感性和抗疲劳裂纹萌生能力.然而,这些优点的获得都以严重降低的塑性(拉伸延伸率普遍小于5%)为代价,其主要原因是大量非共格界面以及纳米晶粒内部容纳位错的能力都十分有限. 相对非共格晶界而言,共格界面却极少作为结构材料的主要强化方式.孪晶界是一种特殊的低能态共格晶界,孪晶界两侧的晶格呈镜面对称.同普通大角晶界相似,孪晶界可有效地阻碍位错运动,从而使材料强化.但是微米或亚微米尺度的孪晶片层其强化效果并不显著,当孪晶片层细化至纳米量级时其强化效果开始显现.近年来,纳米尺度孪晶结构材料的力学性能、物理性能逐渐成为材料领域的研究热点.通过大量实验测试、计算模拟及理论分析证明,纳米孪晶金属具有非常独特的力学、物理性能以及结构-性能关系,利用纳米尺度孪晶界面强化材料已成为一种提高材料综合性能的新途经.本文将结合近年来有关纳米孪晶金属材料进行的最新研究成果,着重评述其变形机理、力学性能(强度、塑性、加工硬化、应变速率敏感性及断裂韧性等)、变形机理、物理性能(导电性和电迁移性)、纳米孪晶金属的制备等核心问题. 1 监测位错之间的交互作用 在多晶金属中晶界强化的作用源于晶界对位错运动的阻碍.当晶格位错滑移至晶界处会受到晶界的阻碍而形成应力集中.在外加应力下,局部应力集中随着位错的持续堆积而增大.当应力集中足够大时,新的位错从相邻晶粒内萌生,晶界处应力集中从而得以释放.然而,此过程中并未改变整体晶界的结构和能量状态.由于晶界的无序结构,位错难以沿晶界滑移,因此晶界容纳位错的能力有限,晶界强化的同时导致其塑性降低. 纳米孪晶材料独特的力学性能源于位错-孪晶的交互作用,这本质上不同于多晶体材料中位错-晶界以及晶格位错之间的交互作用.孪晶界面可有效阻碍位错运动.孪晶界面上领先位错引起的应力集中与外加切应力以及位错塞积的数量成正比(这一点与晶界强化类似).随孪晶片层厚度减小,孪晶内部可塞积位错数量逐渐减少,位错穿过孪晶界所需外加应力提高,当孪晶片层变薄以至于位错塞积无法实现时,将需要非常高的外加应力促使单个位错穿过孪晶界.计算模拟结果显示,该外加应力可高达0.03μ—0.04μ(μ为材料的剪切模量),在Cu中约为1.4一1.9 GPa.因此,当孪晶片层厚度小至纳米尺寸时,位错和孪晶的交互作用是实现材料强化的主要机制. 位错与孪晶界间的反应十分复杂.分子动力学模拟结果表明,当位错穿过孪晶界时,根据入射位错的性质和类型不同,在孪晶界上可能产生可滑移位错(即Shockley不全位错)、固定(不可动)位错或位错锁、相邻孪晶片层内的层错等.以Cu为例,在外力作用下,当一个扩展螺位错与共格孪晶界相遇时,该位错可直接穿越孪晶界,在孪晶界上无任何残留Burgers矢量.而当一个非螺位错与孪晶界相遇则可分解为进入孪晶的不全位错和留在孪晶界上的不全位错.如果穿越滑移不完全,孪晶界上也会暂时形成不可动的压杆位错,直到扩展位错后端的不全位错通过.孪晶界会吸纳其反应产物—不全位错(Shockley partial dislocation),并且滑移造成孪晶界迁移.该过程可有效释放变形产生的应力集中,使孪晶界容纳可观的塑性应变.而交互作用在孪晶界上产生的其它不可动位错、层错等则使孪晶的共格关系被逐步破坏.因此,孪晶界不但可以阻碍位错运动,同时又可以吸纳位错从而承受较大塑性形变,这一点本质上不同于变形过程中传统大角晶界的作用. 2 纳米硅的力学性能 2.1 纳米孪晶层片厚度与强度的关系 实验结果表明,纳米孪晶结构能够显著提高材料的强度和硬度.例如,用磁控溅射法制备孪晶片层平均宽度为5 nm的Cu样品,拉伸强度高达1.2 GPa.脉冲电沉积技术制备的纳米孪晶Cu中,在保证样品晶粒尺寸(约400—500 nm)和织构不变的前提下,当孪晶片