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- 2023-09-14 发布于四川
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一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和形成在衬底上的垫底氧化层；在基底中形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将基底分为高压器件区和非高压器件区，所述浅沟槽隔离结构包括形成在沟槽侧壁和底部的衬垫氧化层；形成图形化的硬掩膜层，所述硬掩膜层暴露高压器件区中的栅极区和栅极区与所述浅沟槽隔离结构边界处的衬垫氧化层；修复暴露的衬垫氧化层；以硬掩膜层为掩膜，去除垫底氧化层；去除垫底氧化层后，在硬掩膜层暴露的区域形成栅介质层。通过修复暴露在浅沟槽隔离结构与栅极区边界处的衬垫氧化
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111613570 A
(43)申请公布日
2020.09.01
(21)申请号 20191
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