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硅光电池特征测试实验报告 系别：电子信息工程系 班级：光电08305班 组长：祝李 组员：贺义贵、何江武、占志武 实验时间：2010年4月2日 指导老师：王凌波 目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及剖析 八、总结 一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特征 3、掌握硅光电池基本特征测试方法 4、认识硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特征测试实验 4、硅光电池伏安特征测试实验 5、硅光电池负载特征测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特征测试实验 设计实验1：硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2：简略光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1 个 2、光通路组件 1 只 3、光照度计 1 台 4、2#迭插头对（红色， 50cm） 10 根 5、2#迭插头对（黑色， 50cm） 10 根 6、三相电源线 1 根 7、实验指导书 1 本 8、20M示波器 1 台 四、实验原理 1、硅光电池的基本构造 当前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通讯﹑太阳电池等领域获得宽泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和详细使用特征能够进一步领悟半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产活力理。 零偏反偏正偏 图2-1.半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 电子向P型资料这边扩散，扩散的结果使得联合区双侧的  图2-1是半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏 下的耗尽区，当P型和N型半导体资料联合时，因为P型资料空穴多电子少，而N型资料电子多空穴少，结果P型资猜中的空穴向N型资料这边扩散，N型资猜中的 P型区出现负电荷，N型区带正电 荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻挡扩散运动的持续进行，当二者达到均衡时， 在PN结双侧形成一个耗尽区，耗尽区的特色是无自由载流子，体现高阻抗。当PN结反偏时， 外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒增强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继 续形成电流，此即为PN结的单导游电性,电流方向是从P指向N。 2、硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转变为电能， 所以，可用作光电探测器和光电池，被宽泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。 光电池的基本构造如图2-2，当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的联合面耗尽区存 在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的约束电子激发到导带，激发出的电子 空穴对在内电场作用下分别飘移到N型区和P型区，当在PN结两头加负载时就有一光生电 流流过负载。流过PN结两头的电流可由式1确立 图2-2.光电池构造表示图 eV I  Is(ekT  1)Ip  （1） 式（1）中Is为饱和电流，V为PN结两头电压，T为绝对温度，Ip为产生的光电流。从式中能够看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=Ip；当光电池处于反偏时（在本实验中取V=-5V），流过PN结的电流I=Ip-Is，所以，当光电池用作光电变换器时，光电池一定处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi有以下关系： I  p  RPi  (2) 3、硅光电池的基本特征 (1) 短路电流 图2-3硅光电池短路电流测试 如图2-3 所示，不一样的光照的作用下， 毫安表如显示不一样的电流值。即为硅光电池的 短路电流特征。 (2) 开路电压 图2-4硅光电池开路电压测试 如图2-4 所示，不一样的光照的作用下， 电压表如显示不一样的电压值。即为硅光电池的 开路电压特征。 光照特征 光电池在不一样光照度下，其光电流和光生电动势是不一样的，它们之间的关系就是光照 特征，如图2-5。 0图.32-5 硅光电池的光照电流电压特征 0.6 (4)伏安特征A 开路电压 V m 0.4 0.2 / 如图2-6/，在硅光电池输入光强度不变时，丈量当负载必定的范围内变化时，光电池的 流 压 输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特征。电 电0.1 短路电流 0.2 生 生 光 光 0 (5)负载特征(输出特征) 2000 4000 0 光照度/Lx 光电池作为电池使用如图2-7所示。在内电场作用下，入射光子因为内光电效应把处于介带中的约束电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两头加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改变 负载电阻RL的值来