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砷化镓 GaAs M10材料科学与工程 主讲人：郑贤高 砷化镓：是一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1238℃，黑灰色固体，它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。 发展历程： 性质与属性： 砷化镓材料的分类： 1. 按照应用领域不同分类 ：分为半绝缘砷化镓材料和低阻砷化镓材料。 第一类为半绝缘砷化镓材料约占整个GaAs 单晶材料市场需求的40 ％左右，主要用于微波场效应器件（FET）、模拟集成电路、数字集成电路、光电子集成电路（OEIC）。 第二类为低阻（掺杂半导体）砷化镓材料，约占GaAs 材料的64％。主要用于发光二极管（LED）、激光器、太阳能电池光电探测器（PD）、微波二极管等器件。 2. 按照工艺方法不同的分类: 目前国内常用的砷化镓晶体生长方法有三种，LEC法（俗称为直拉）、HB法（俗称为水平法）和VB法或VGF法（俗称为垂直）。 两种制造技术： LPE技术 L PE 是NELSON 在1963 年提出的一种外延生长技术。 其原理是以低熔点的金属(如Ga 、In 等)为溶剂,以待生长材料(如GaAs、Al 等) 和掺杂剂(如Zn、Te 、Sn 等) 为溶质,使溶质在溶剂中呈饱和或过饱和状态,通过降温冷却使溶质从溶剂中析出,结晶在衬底上,实现晶体的外延生长。 LPE技术优缺点： MOCVD 技术 MOCVD 是MANASEVIT 在1968 年提出的一种制备化合物半导体薄层单晶的方法。 其原理是采用Ⅲ族、Ⅱ族元素的金属有机化合物Ga (CH3) 3 、Al (CH3) 3 、Zn (C2H5) 2 等和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物(PH3 、AsH3 、H2Se) 等作为晶体生长的源材料,以热分解的方式在衬底上进行气相沉积(气相外延) ,生长Ⅲ2 Ⅴ族、Ⅱ2 Ⅵ族化合物半导体及其三元、四元化合物半导体薄膜单晶。 20 世纪70 年代末,MOCVD 开始用于研 GaAs 太阳电池。与L PE 比,MOCVD 虽然设备成本较高,但具有不可比拟的优越性。 国外技术进展： 缺陷控制 1.点缺陷 晶体中原子尺度范围内的缺陷，称为点缺陷。点缺陷包括品格中的空位，填隙原子，错位原子，在晶体生长过程中有意或无意引入的杂质原子。研究这些点缺陷在晶体中的行为具有十分重要的意义，因为这些缺陷的行为效应及缺陷类型对材料中载流子的散射、载流子数量有较大的影响，将直接关系到材料的电学性能的稳定。当这些机理研究清楚以后，我们可以通过有意的在晶体材料生长过程中掺杂引入有益缺陷，从而达到改善晶体材料电学性能的目的。 2.位错 一系列连续的点缺陷贯穿晶体某一区域，就形成了位错。当晶 体晶格所受的应力超过了晶格发生弹性形变所需的最大弹力时， 便可产生这种连续的缺陷。如果将晶体制作成一薄片，并经磨平和 抛光，那么薄片上位错露头的地方在化学试剂腐蚀的作用下可表 现出一些独特的腐蚀坑形貌。这些腐蚀坑形貌仅存在于位错附近 一定距离内的位置处。 砷化镓中的杂质 在晶体生长过程中，会有意或无意地引入杂质。一般情况下，引入的杂质都是具有电活性的，但是有一些引进的污染会在晶体中形成空位，从而不具有电活性。规定掺入的杂质在半导体中要么是施主原子，要么是受主原子。施主原子是比其替代的原子多一个或一个以上的电子，这些多出的电子在晶体中可以自由移动从而形成电流；相反，受主原子是比其替代的原子少一个或一个以上的电子，因此，受主原子可以捕获晶体中的自由移动的电子。不管是在半导体中掺人哪一种类型的杂质，都会导致半导体材料电学性能的改变。 应用情况： 砷化镓器件主要包括光电器件和微波器件两大类。砷化镓以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接跃迁的能带结构，在光电应用方面处于有利的地位。 砷化镓太阳能电池 国外应用： 参考文献 [1 ] 　CHIANG P K, et al . Experimental results of Ga InP/ GaAs/ Ge triple junction cell development for space sys2 terns[ C ] . Washington DC: Proceedings of 25th IEEE PVSC , 1996 , 183～186. [2 ] 　KURTZ