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时间反演不变性拓扑绝缘体中杂质效应的相关研究的中期报告 时间反演不变性是介绍拓扑绝缘体和拓扑物态的重要原则之一。在时间反演不变性的体系中，任何对称性破缺或涉及系统本身的区别性因素都会恰好抵消，从而导致体系具有一些特殊的电子性质。 然而，拓扑绝缘体中的杂质效应可能会破坏时间反演不变性，并对其电子性质产生深远影响。这些影响可以表现为杂质能级控制电导率和Hall系数的变化、引起能级结构的调制和线性ABS（Andreev bound states）的形成。 通过对拓扑绝缘体中杂质效应的研究，我们可以更好地了解杂质的微观物理机制和其对电子性质的影响。为此，我们需要利用一系列现代物理研究工具，例如强耦合QCD的计算，数值模拟和基于拓扑物理原理的理论计算，以期对拓扑绝缘体杂质效应进行系统、深入的分析和探究。 在中期研究报告中，我们对于拓扑绝缘体中杂质效应的研究进行了初步探讨，并运用一些现代物理工具进行一些计算和模拟。目前，我们已经得到了一些重要结果，并将继续深入研究和探索，希望为拓扑物理领域的发展和应用做出更大的贡献。