《半导体光电子学》第02章 异质结.pptxVIP

异 质 结 第二章 半导体光电子学 01 异质结及其能带图 1.1 pN异型异质结 pN 异型异质结 和 PN 同质结一样，异型异质结的空间电荷区是由电子型半导体中的电离施主和空穴型 半导体中的电离受主在结面两边的一个有限范围内形成的电偶极区。设所讨论的 pN 异质结 有xx₂, 由前所述的方法作图，就能看到导带和价带在异质结界面处的不连续，界面两边 的导带出现明显的“尖峰”和“尖谷”,如图2.1-2所示。左侧材料为禁带宽度(即带隙)较 小的p 型材料，其相应参数在图中用下标1来表示；右侧材料为禁带宽度较大的N 型材料， 其相应参数在图中用下标2来表示；它们所形成的异质结在导带和价带分别出现不连续△E。 和△E,, 由图2.1-2可见△E。 1.1 pN异型异质结 pN 异型异质结 1.1 pN异型异质结 pN 异型异质结 与△E,并不相等，相对大小与构成异质结的材料有关。后面将看到，由于电子的行为在 光电子器件中起着重要的作用， 一般对异质结两边材料上希望有△E。AE,。 从异质结界面 向两侧扩展的空间电荷区宽度分别为 式中， No, 、N 、分别表示电子型和空穴型半导体的杂质浓度(即图2-1-2中n 型材料的施主 浓度和p 区材料的受主浓度),e 和c₂ 分别表示图2.1-2中窄带隙与宽带隙半导体的介电常数。 因而总的空间电荷区宽度为 1.1 pN异型异质结 pN 异型异质结 V 是总的内建电势，它在两半导体中内建电势Vn,与Vo,之间的比值为 在空间电荷区内，电中性条件N 、r|=No,X 、成立，所以结电容可表示为 1.2 突变同型异质结 突变同型异质结 和异型异质结不同，同型异质结 nN 和 pP 的性质是由多数载流子决定的。和异型异质结 一样，安德森同样在忽略界面态影响的前提下，建立了同型异质结的模型。所不同的是由于 结两边材料的电子亲和势不同，使得同型异质结的空间电荷区是由宽禁带半导体一侧的固定 空间电荷(电离施主或电离受主)和另一侧运动的电子或空穴所构成的电偶极层构成的，或 者说是由宽带隙的耗尽层与窄带隙一侧载流子的积累层组成的。依据构成异质结的两种半导 体之间电子亲和势x、 功函数φ,以及x 和禁带宽度之间的不同大小关系，同样可以得出一 些具有不同形状和特点的同型异质结能带图。 1.2 突变同型异质结 突变同型异质结 图2.1-3所示是一个突变的nN 同型异质结能带 图，其中xx₂ 、 2 、%+E₈ix₂+E₂ 。 由于载流子积累层的厚度小于其耗尽层的厚 度，所以外加电压主要降落在耗尽层上，因而可以取宽禁带半导体作基准来考虑这种异质结 的正向和反向的电流-电压特性。 突变同型异质结 因为在nN 异质结中参与电流的载流子是电子，所以越过导 带尖峰势垒而到达窄禁带半导体的电子浓度和速度分布可以由类似于热阴极的热电子发射来 求出，从而可求出它的电流-电压特性。根据安德森的计算，在正向电压 Va 下电流密度J 1.2 突变同型异质结 突变同型异质结 式中， V+V₂=V,B=ex。No,[kT/(2πm。)]²,x。和前面一样是电子越过界面的传输系数， me 为宽带隙半导体中电子的有效质量， No,为半导体2中的施主杂质浓度。因为V₂ V≈0, 因此有 1.3渐变异质结 渐变异质结 实际上，用一般的液相外延 (LPE) 所生长的异质结不是上面所述的突变结，而是结两 边的空间电荷密度以及结两边导带与价带的能量分布有一个渐变过程(参见图2.1-5 中由实 线所表示的能带),即△E。与△E,在垂直于结平面方向上有一个渐变过程。可以用双曲正切函数来描述这种渐变的规律。 式中，xo为渐变区中心坐标，1为线性渐变长度或渐变特征长度，△E。为总的异质结导带差。 如果渐变完全发生在宽带隙材料内，即x≥0, 则可得到更为简便的表示式： 当渐变异质结被加上正向电压后，其势垒变得与突变异质结相似，因此用前面突变异质 结的模型来分析渐变异质结在半导体光电子器件中的作用是恰当的。 1.3渐变异质结 渐变异质结 综上所述，为了运用安德森模型做出一个能反映异质结特点的能带图，关键是需要知道 组成异质结的有关半导体的电子亲和势x 和x₂、禁带宽度E 和E 以及费米能级F 和F 相 对于带边的位置。在多数情况下，半导体的带隙E。是知道的，对掺杂半导体的费米能级位置 也同样容易决定。然而，要从实验来得到精确的电子亲和势x 值却是很困难的，往往对x 值 的实验误差(十分之几电子伏特)与实际存在的两种半导体电子亲和势之差△x 同数量级， 这给精确绘制能带图势必带来很大困难。 1.3渐变异质结 渐变异质结 由式(2.1-4)可知，异质结两边半导体材料带隙之 差等于在异质结导带的台阶△E。和价带台阶△E,之和