《半导体光电子学》第04章 异质结半导体激光器.pptxVIP

异质结半导体激光器 第四章 半导体光电子学 01 概述 4.1概述 概述 和其他激光器一样，半导体激光器的基本结构也由三部分组成，即能高效率产生受激发 射的工作物质(有源介质或增益介质)、提供光学反馈的谐振腔和驱动电源。所不同的是半导 体异质结激光器有光波导结构，但其作用也类似于固体激光器的聚光腔。 一般半导体激光器 的谐振腔不是由外加反射镜构成，而是利用半导体本身的晶体解理面形成内反射腔，这一特 点正是半导体激光器有别于其他激光器的优点，即结构很紧凑，避免了外加谐振腔可能产生 的机械不稳定性。半导体激光器的驱动电源也较简单，需要的电流、电压均很小，因此工作 较方便和安全，不过半导体激光器也很容易遭受浪涌电流和电压的冲击而损坏。1962年问世的半导体激光器是同质结的，由于它在室温下的阈值电流密度高达10⁴A/cm² 量级，故只能在液氮温度下才能连续工作，因而毫无实用价值。1967年用液相外延生长出结 晶良好、晶格匹配的 Ga1-xAl,As/GaAs 异质结，并很快研制出单异质结半导体激光器，其室 温下的阈值电流密度比同质结激光器降低一个数量级(8.6×10³A/cm²), 但仍然很高的阈值电 流密度使它只能在室温下脉冲工作。 4.1概述 概述 1970年出现的双异质结半导体激光器再次使室温下的阈 值电流密度大幅度降低，几乎比单异质结半导体激光器降低了一个数量级，从而实现了半导 体激光器在室温下连续工作，开创了激光在光纤通信、光信息处理领域应用的新纪元。最早 的双异质结激光器是宽接触的，即从衬底到电极接触各层都是等面积的，注入的载流子和激 发的光子在有源层的侧向没有受到应有的限制，因而所需的工作电流和相应的热负载均较大， 横模与纵模特性也不理想。因此直至目前，被广泛采用的是1970年以后不断发展起来的各种 条形激光器。为满足大容量光纤通信的需要，从20世纪70年代中期开始相继出现了一些具 有不同结构特点、高频响应特性好、热稳定性好的单纵模激光器，如分布反馈 (DFB)、 分布 布拉格反射 (DBR)、 垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) 等。 20世纪80年代末量子阱材料渐趋成熟，其微分增益等材料特性明显高于此前的体材料， 使基于量子阱材料的半导体激光器的性能获得全面的提高。除了满足光纤通信低损耗窗口 (1250～1650nm) 的半导体激光器得以持续发展外，大容量光存储需求的红光和蓝光等短波 长半导体激光器相继得到快速发展。 4.1概述 概述 20世纪80年代末量子阱材料渐趋成熟，其微分增益等材料特性明显高于此前的体材料， 使基于量子阱材料的半导体激光器的性能获得全面的提高。除了满足光纤通信低损耗窗口 (1250～1650nm) 的半导体激光器得以持续发展外，大容量光存储需求的红光和蓝光等短波 长半导体激光器相继得到快速发展；除了用于信息传输、信息存储等小输出功率(～10mW) 半导体激光器外，在20世纪90年代中期为满足泵浦掺铒光纤放大器的需要，中等功率 (～100mW) 的半导体激光器在光纤通信扩容方面做出了历史性贡献 02 光子在谐振腔内的振荡 4.2 光子在谐振腔内的振荡 光子在谐振腔内的振荡 要使激光器产生受激光输出，除了粒子数反转这个必要条件外，还必须使粒子数反转达 到某一程度。 一旦出现粒子数反转，就在增益介质中产生增益，但这时的增益还不足以抵消 光子在谐振腔内的损耗和输出损耗，只有当粒子数反转达到光子在腔内所得到的增益与产生 的损耗相平衡的程度，光子才能获得净增益而获得激光输出。 光子在谐振腔内的振荡 我们将光子在谐振腔内振荡开 始出现净增益所必须满足的条件称为阈值条件，这时所对应的一些参数(如增益、驱动电流 等)都相应地被称为阈值。下面将用一般激光器的谐振腔理论得出阈值条件。 4.2 光子在谐振腔内的振荡 设光子在谐振腔内传播有如下的平面电磁波 式中， E,为光场在入射面上的振幅，如图4.2-1 所示，β为光波在腔长z 方向上的复传播常 数(为避免与光场限制因子混淆，在此用β表示复传输常数，与式(3.1-34)是一致的),表 示为 式中，π为介质的折射率， F=a/(4π) 为消光系数，α为广义损耗系数， k=2n/。 为真空 中的波数。阈值条件要求光子在谐振腔内往返一次，总的效果是不产生损耗而能维持稳定的 振荡或形成稳定的驻波。这就要求光子在腔内的环路增益为1,即 Y2E₁exp(-2βL)=E₁ 4.2 光子在谐振腔内的振荡 阈值增益方程式(4.