《半导体光电子学》第10章 半导体光电子器件集成.pptxVIP

半导体光电子器件集成第十章 半导体光电子学 01概述 1947年12月6日，美国贝尔实验室的巴丁 (John Bardeen)等人研究出世界上第一个点 接触晶体管，并证明了其对电信号的放大。在此基础上研究出的npn双极晶体管更具实用价 值。1952年英国皇家雷达研究所的渡墨 (Dummer.G W.A)在美国工程师协会第二次会议上 提出：“可以想象，随着晶体管和一般半导体工业的发展，可以在由绝缘体、导体、整流、放 大等材料层构成的固体层上实现电子设备。” 以后出现的单极型场效应晶体管和进 一步开发的金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET) 更使集成电路在集成度、功耗、 尺寸和速率等方面不断更新换代。至今仍沿用1965年仙童公司所总结的集成度每年翻一番 的所谓摩尔 (Moore) 定律和1974年 IBM 公司的丹纳德 (R.H.Dannand) 所总结的规律： MOS 晶体管相关尺寸(特征尺寸)缩小K2 倍则速度可提高K 倍，功耗降低K2 倍。1.1 集成电路的启示 1.2 PIC 和 OEIC 出现的逻辑推理稍做归纳就不难发现，电子与光子是一对在性质上具有明显并行性和互补性的微观粒子[川。 并行性表现在它们具有一些相似的或相互对应的一些特点，如表10.1-1所示。例如，电子与 光子都是兼有波动性与粒子性的微观粒子；电子与光子分别服从费米-狄拉克统计分