《半导体光电子学》第03章 平板介质光波导理论.pptxVIP

平板介质光波导理论第三章半导体电光学 01光波的电磁场理论 1.1 基本的电磁场理论基本的电磁场理论光波是频率很高的电磁波，它在介质中的传播可用麦克斯韦方程组的微分形式来描述：式中， E 、H 、B 、D 、J 和 p 分别代表电场强度矢量、磁场强度矢量、磁感应强度矢量、电 位移矢量、电流密度矢量和电荷密度。其中式(3.1-1c) 和式(3.1-1d) 可以利用前两式取散 度、再利用电流连续性方程▽.J=-0p/ot 来得到。 1.1 基本的电磁场理论基本的电磁场理论为了求出E 、H 、B 和 D 各量，还需要知道E 和 D 、H 和 B 之间的关系。它们之间的关 系与电磁场所在的介质特性有关，若介质是各向异性且不均匀，则D 和 B 随空间坐标r的变 化为：基本的电磁场理论 1.1 基本的电磁场理论基本的电磁场理论式中，E,(r)、A(r) 分别为介质的相对介电常数张量与相对磁导率张量，6o、Ho则分别为真 空中的介电常数和磁导率。在最简单的情况下，设介质是均匀且各向同性的，则式(3.1-2) 变为基本的电磁场理论 1.1 基本的电磁场理论基本的电磁场理论式中，6,和μ,分别为相对介电常数和相对导磁率，均为常标量。电流密度与电场强度之间的 关系为基本的电磁场理论式中，σ为介质的电导率。式(3.1-2)、式(3.1-3)和式(3.1-4)均写成了线性形式，是假 设在低场强下不足以产生非线性效应，并且不考虑在半导体介质中实际存在的色散效应，而 在此认为ε和μ与光波的频率无关。对于非铁磁性的半导体材料，在可见与红外波段范围内 可以认为相对导磁率μ,=1。同时，对光频波段的电磁场，则可取体电荷密度p=0。 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 在式(3.1-5)的麦克斯韦方程组中包含表征介质宏观性质的电学参数ε(=6?6?),而光波 在介质中传播特性通常是用宏观量——折射率和吸收系数α来表示的。因此，要了解光波在 半导体介质中的传播特性，首先就要知道光学参数与电学参数之间的关系。通过对上述麦克 斯韦方程组的平面波解的分析可以得到这一关系。为此，首先要从麦克斯韦方程得到波动方 程。利用矢量分析方法及式(3.1-5d), 可以得到： 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 同理，也可写出H 的三个标量波动方程，在此不一一列出。下面考虑波动方程的解。最简单的情况是光波为电矢量沿y 方向偏振、沿z方向传播的平面电磁波，即有E=E,、 Ex=E?=0 。E, 只在z 方向以角频率w=2πv 发生周期变化，如图3.1-1所示。因为只在z 方 向有空间变化，故有a/ax=0/0y=0。 由式(3.1-13)可以得到E,关于自变量z和t具有如下 的函数形式：1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 1.2 光学常数与电学常数之间的关系 其中已利用了式(3.1-25)和式(3.1-34)。因此，在有损介质中，平面光波的衰减系数由石决 定，它与电导率有关。至此，光学常数π和k 可以用表示介质宏观性质的电学参数σ、ε表 示出来。需注意的是，这里所提的电导率σ为光频下介质的电导率σ(w), 与直流情况下的电导率σ,不同。在通常情况下所能测定的光学参数是吸收系数α,而不是消光系数K, 它们之间的关系可以从以下的分析中得到。 若强度为I? 的光入射在介质表面而不产生反射，介质的厚度为 射光强与入射光强Io之间应满足或写成比例形式 1.2 光学常数与电学常数之间的关系由透过不同厚度样品的透过率，可以直接确定α和k 。 由式(3.1-40)可知，在一般情 况下， n2≠6,, 因而电磁波的传播速率是c/n而不是c/ε2, 可以通过测量与电磁波的传播 速度有关的光学参数来得到n。 用上述方法测量n 和k, 只适合于吸收不太强的材料，即可 以制成厚度只有几倍于1/a 的样品。对于吸收较强的材料，其光学性质更类似于金属，此时 必须用偏振光的反射来测量。反射率与折射率π、消光系数k 的关系已由式(2.4-11)给出。以上，我们将电磁场的基本理论应用到光传输介质中，得出了光学与电学参数之间的关系， 下面将看到，将电磁场的基本方程结合适当的边界条件，可以得出光波导的许多重要性质。 02光在平板介质波导中的传输特性 2.1平板介质波导的波动光学分析方法在实际的异质结半导体激光器和发光二极管中，出于载流子注入和光场限制的需要，在 垂直于结平面方向上，要在衬底上进行三层以上的异质外延。从各层的分布来看，也不完全 对称。但是，有源层及其上下对称的限制层是构成上述异质结光发射器件的最基本结构。