《半导体光电子学》第09章 半导体中的光吸收和光探测器.pptxVIP

半导体中的光吸收和光探测器第九章 半导体光电子学 01本征吸收 在1.2节中我们已提到在直接带隙跃迁吸收中，可以产生允许的和禁戒的跃迁。由 式(1.2-25)和式(1.2-26)可以看出，当满足动量守恒时发生允许的直接带隙跃迁。图9.1-2 给出了一种允许的直接带隙跃迁能带图， E;和Er分别代表跃迁的初态和终态。这是一种直接 带隙半导体材料，价带能量的最大值所对应的波矢ky=kmax与导带能量最小值的波矢ke=kmin 均在布里渊区的原点，即 kvmax=kcmin=0。 这时允许的直接跃迁有最大的跃迁几率，且跃迁 矩阵元与波矢k 基本无关。 1.1 直接带隙跃迁引起的光吸收 1.1 直接带隙跃迁引起的光吸收 式中， A 为比例常数。实际上，导带不可能是平坦的， E～k 曲线往往呈现多极值，因而其效果是使上述吸收系数需倍乘以一常数因子，并以m;代表隐含在A中的价带电子有效质量 ma和导带电子有效质量me。m;称为折合质量，表示为同时因为跃迁几率Bi? 为常数，因而可将吸收系数写为其中A 仍为常数。由于采取的单位制和表述上的不同，不同文献对上述常数A 有不同的表达 式2],在此我们按照史密斯 (Smith)[] 采用 M.K.S.单位制表示式 1.1 直接带隙跃迁引起的光吸收 式中， m, 为自由电子的质量，其余都是所熟知的符号，只是用后表示与偶极矩阵元 |M2 有关 的振子强度， fm=2|MPhom, 它通常是数量级为1的因子。式(9.1-8)所能适用的范围是 有限的，当(hv-E) 的值较大时，吸收系数随 hv变化缓慢，α随 hw上升的曲线斜率与能带 的形状有关。而且当(hv-E?) 与激子激活能(关于激子吸收将在9.2 节中讨论)可以相比拟 时，式(9.1-7)还应做适当修改。即使hv→0, 此时吸收系数并不为零而趋于一稳定值； 1.1 直接带隙跃迁引起的光吸收 在1.2节中我们已经提到，当导带能量最小值与价带能量最大值不对应同一 k 值，即 kemin≠kmax时，不满足动量守恒，但实验上却观察到电子在这两个能量极值之间的跃迁所引 起的光吸收，因而必定有声子参与了跃迁过程，即必须通过吸收声子或发射声子才能使电子 从初态 “O” 跃迁至终态 “m” 。 图9.1-4 表示出这种间接带隙跃迁可以有两种方式来完成，而每种方式又均可分两步来实现，即 “O”→I→“m” 或 “O”→I→“m” 。 对于从始态 “O”经中间态 (I 或 I) 至终态“m” 的跃迁来说，每一步都满足动量守恒但能量不守恒，然而两 步合起来能量却是守恒的。 1.2 间接带隙跃迁引起的光吸收 值得指出的是，在这种能带结构中也可以发生从价带顶 (k=0) 至导带次能谷的竖直跃 迁或直接跃迁，如图9.1-5中的箭头A 表示。只是由于导带底(对应k=kmin) 的能量比k=0 处的导带能量小很多，则跃迁所涉及的能量比间接跃迁(图9.1-5中箭头B) 大。这已为很 薄的纯单晶Ge 片、在入射光子能量 hv=Eo=0.8832 eV (即，图中箭头A 所示竖直跃迁 过程中对应的能量)附近表现出很陡的吸收峰所证实，如图9.1-6所示。在更长波长处的 吸收则是由于间接跃迁所引起的，而这必须伴随着声子的发射和吸收，以满足所需的动量 守恒。 1.2 间接带隙跃迁引起的光吸收 1.2 间接带隙跃迁引起的光吸收 对间接跃迁的跃迁几率和材料吸收系数的分析，原则上可仿照直接带隙跃迁的情况进 行。但由于在间接带隙中涉及到二级微扰，描述系统的哈密顿量必须考虑到从初态经中间 态至终态的全过程中(参见图9.1-4)每一步能量的变化情况，因此与跃迁几率有关的矩 阵元应该有两个子矩阵元(即从初态至中间态的矩阵元 Mor 或 Mor和从中间态至终态的矩 阵元 Mm 或 Mm 之积。这里我们不对跃迁矩阵元和跃迁几率做深入分析，而直接讨论吸 收系数。在图9.1-4 所表示的间接带隙跃迁中，两种从初态至终态的跃迁方式都必将伴随有声子 的发射和吸收，在不考虑多声子吸收时，则有 1.2 间接带隙跃迁引起的光吸收 式中，Es 为声子能量。尽管 Es与Eg相比一般是很小的，但声子的发射与吸收都将影响吸收 曲线在吸收边附近的形状，或使吸收曲线的长波限(即吸收边，也称红限)发生漂移。为了区分声子的发射和吸收对吸收系数的贡献，而把间接跃迁吸收系数α?表示为式中，α和 αa分别为发射声子和吸收声子时的吸收系数，并且有如果导带底处的波矢kcmin偏离价带顶处的波矢k=0 较远，则电子在价带顶附近的某一 能量E 与导带底附近某一能量E 之间的跃迁几率不随它们相应的波矢 (k 或k) 而发生急剧 的变化。作为一级近似，可将其跃迁几率取为常数。因而吸收