《半导体光电子学》第08章 可见光半导体光发射材料和器件.pptxVIP

可见光半导体光发射材料和器件 第八章 半导体光电子学 01 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 1.1 概述 采用双异质结作为光发射器件的基本结构，以实现对注入电子和所产生光子的双重 限制，从而易于实现受激发射所需的粒子数反转；用谐振腔 (F-P 腔、DBR 和 DFB) 实现谐 振增强和受激辐射的激光输出。 为了对注入电子进行更有效的限制，体材料双异质结中的有 源层厚度应远小于电子扩散长度，还可进一步将有源层厚度减少至电子平均自由程之下以实 现量子限制效应，从而更有效地减少半导体激光器的阈值电流，提高半导体激光器的特征温 度、改善模式特性等性能。 1.1 概述 根据所需发射波长，选择带隙波长与之匹配的半导体材料作为有源材料；按照晶格 匹配的要求选择宽带隙限制层材料，形成对注入有源层的载流子(特别是对电子)进行有效 限制的异质结势垒。 无论是同型还是异型异质结，都需使所选定的半导体材料具有掺入不同类型和不同 浓度杂质的能力，且所掺入杂质的浓度分布不随环境和工作条件变化。 1.1 概述 要有大尺寸、便于加工、电阻和热阻小、与在其上生长的半导体材料能晶格匹配的 衬底材料。 为了从器件获得更大的输出功率，应采取横模特性好的条形结构，对用于高速光调 制型激光器件，尚需对谐振腔进行更严格的波长选择反馈而获得高的边模抑制比。半导体发 光二极管虽然不需要考虑上述涉及谐振腔和光的谐振模式方面的要求，但其他的要求应是 共同的。 02 红光半导体光发射材料和器件 2.1红光半导体材料 早在1962年研究GaAs 同质结构半导体激光器的同时，就报道了GaAsP 红光发光二极 管。20世纪80年代初，由于发展光盘存储的需要而研究红光半导体激光器以取代早期的氦- 氖激光器。为此，最早选用了在光纤通信波段中已经使用的 Al,Ga1-xAs/GaAs 材料和器件结 构来获取红光。 但由式(2.4-2)和式(2.4-3)可知，随着有源材料中 Al 含量x 的增加和带 隙能量Eg的相应增加， 一方面注入直接带隙能谷的电子与注入间接带隙能谷电子的比例也相 对减少，使激光内量子效率相应减少，当Al 含量x=0.45 (对应带隙波长λ=624nm) 时， 甚至发生直接带隙向间接带隙转变；另一方面随着Al含量的增加，有源层与限制层之间的晶 格失配程度也加剧，从而会产生更多的失配位错和晶格缺陷。 2.1红光半导体材料 这些都会使激光器的阈值电流 密度增加，如图8.2-1所示。因此这种材料体系在成就了用于光盘机的780nm 淡红色半导体 激光器之后，却对获得更具实用意义的600nm 波段红光半导体激光源未能做出贡献。为此， 必须寻找新的材料和器件结构。 1985年采用 GaInP有源层/AlGaInP 限制层的双异质结构，实现了波长670nm 和690nm 的红光半导体激光器的室温连续工作；同时也得到了 GaInP (阱)/AlGaInP (垒)激射波长为668nm 的多量子阱室温连续工作的激光器，并表现出更低的阈值和更高的特征温度T。 这自然得益于先进的 MOCVD 工艺设备。至今，普遍认为半导体合金材料系(Al,Ga1-x),In₁-,P 是覆盖光谱范围从红光(650nm) 到黄绿色光(560nm) 最合适的直接带隙半导体材料。 2.1红光半导体材料 表示由二元半导体化合物InP、AlP和 GaP 所组成的三元或四元的化合物半导体带隙能 量Eg (和相应的带隙波长A) 与其晶格常数ao的关系。该图右侧还列出了这三种化合物的带 隙能量和晶格常数⑧。图中实线框与虚线框分别代表其内的材料为直接带隙还是间接带隙。 Eg位于2.23～2.33eV (相应带隙波长556～532nm) 之间时会发生直接带隙与间接带隙之间 的转变。 图中对应 GaAs 的垂直线上的直接带隙材料 AlGaInP 能很好地与常用的 GaAs 衬底 材料晶格匹配。因为 AlP 和 GaP 有几乎相同的晶格常数，当In 含量(1-y) 接近0.48时， (Al,Gai-),In₁-,P晶格常数几乎与 Al或 Ga 的含量无关，且与GaAs 衬底理想地晶格匹配，因 而可灵活调节 Al含量x 得到与GaInP 有源材料相比更短的直接带隙波长。因此图8.2-2中特 别标注的(Al,Ga1-x)o.sIno.sP是目前首选的红光半导体发射器件有源材料。 2.1红光半导体材料 2.2红光半导体激光器 基于上述适合红光发射的有源材料AlGalnP,并借鉴此前 GaAlAs/GaAs半导体激光器的 一些成功实践，对这种材料的红光激光器的实现就要容易许多。由于主要针对光存储、全色 激光显示等应