《半导体光电子学》第06章 低维量子半导体材料.pptxVIP

低维量子半导体材料 第六章 半导体光电子学 01 概述 6.1概述 纵观整个半导体光电子学的发展，无不是围绕如何加强半导体中电子与光子的相互作用、 如何提高电子与光子能量相互转换的效率。本书前几章以半导体光电子学中最具活力的半导 体激光器为例，表明从同质结到单异质结再到双异质结都是围绕着如何将注入半导体激光器 有源区中的载流子和它们辐射复合所产生的光子在垂直于结平面方向(横向)进行限制。 异质结结构及其界面的异质势垒不但成就了1970年半导体激光器室温连续工作，而且也 成为进一步研究超薄层半导体中电子和空穴在k 空间量子化和能带的基础。1970年 IBM 公 司的江畸 (L.Esaki) 和朱肇祥 (R.Tsu) 首先提出由众多超薄阱层和垒层周期相间的所谓超 晶格概念。超晶格中载流子的输运除受半导体晶体本身的周期势作用外，还将受到超晶格 所附加的周期势的调制，其结果是原来在体材料中导带和价带连续性能带将被分裂为小带隙 分开的一些量子化子带。 6.1概述 1971年前苏联约飞 (Ioffe) 研究所的Kazarinov和R.A.Suris 在对 超晶格进一步分析的基础上预期有量子隧道效应，即一个阱的基态和相邻阱的激励态在能量 上一致，而且一个阱中电子和空穴复合产生的光子还有助于激励该阱基态的电子在外场作用 下穿越隧道进入邻阱的激励态[2]。以上这些理论的预言为1973 年贝尔实验室的丁格尔 (R. Dingle)等的实验所证实。他们研究出能精确控制薄膜生长速度的分子束外延 (MBE) 设备 并生长出50个周期的AlGaAs/GaAs 超晶格，如图6.1-1所示，并在室温下观察到了在体材料 中难以看到的激子吸收峰，如图6.1-2所示3。图中每个峰对应着量子化子带的激子跃迁。有 关激子概念参见第9章。 6.1概述 事实上，双异质结本身的能带结构可认为是一个势阱。这是20世纪60年代末期对量子 力学教程中提到的所谓方势阱模型的实践。由异质势垒所构成的陡直竖阱成为对进入阱内的量子(在此为电子)的限制，故称量子阱。然而在第2章所涉及的体材料双异质结中，窄带 隙的有源层的厚度相对较厚(或对应势阱模型中的阱宽较宽),只是考虑了有源层厚度小于电 子的扩散长度。电子在这种体材料中正交的三个方向都是自由的，即有三个自由度。真正意 义上的量子阱是指阱宽L₂ 小于电子的平均自由程，或者小于电子绕原子核运动量子化轨道的 玻尔半径(10～500A, 对 GaAs 约160A), 此时在垂直于阱壁(即异质结平面)方向的电子 将受限而失去该方向的自由度，即仅在阱平面内存在两个自由度，故称量子阱材料为二维量 子材料。丁格尔将这种限制在仅存二个自由度的阱层内的电子称二维电子气。 6.1概述 02 量子阱的基本理论和特点 2.1量子阱中的电子波函数和能量分布 可以想象，量子阱中的电子波函数应能反映出电子在垂直于阱层方向 (z 向)受限而在 阱层平面(xy 平面)内两个正交方向仍具有和体材料相同的特点，即，量子阱中的电子波函 数出ow应为z 方向有量子化的波函数出与x 和y 方向仍为体材料波函数出之积。以r为坐 标矢量，则有 式中，l 为体现量子化特点的量子化序数，并且已用到k₂=π/L₂。如果势阱深度有限，即图6.2-1(a) 中的△E。或△E,不为无穷大，则电子波函数在阱外表现为依指数函数的衰减波。图6.2-1(a) 和6.2-1(b)分别表示在无限深阱和有限深阱中的电子波函数(在此只画出导带势阱；价带波 函数依阱深△E,有类似分布)。 2.1量子阱中的电子波函数和能量分布 2.1量子阱中的电子波函数和能量分布 式中左边方括号内的两项分别代表薛定谔方程中哈密顿算符 H 所包括的电子势能和动量算 符； E 为电子本征能量； m. 为导带电子或价带空穴的有效质量。 为了求得电子在z 方向的本征能量，先给出该方向电子所遵循的薛定谔方程 对式(6.2-5)求解可得到量子阱中电子(或空穴)在垂直于阱层方向的能量本征值。对某一 阱宽L₂ 的量子阱， E, 是与该方向波矢量(因而动量)无关而只与量子化序数相关的常量，即 2.2量子阱中电子的态密度和增益 电子态密度是影响跃迁速率、增益等许多特性的一个重要物理量。参照 第1章求体材料k 空间态密度的方法，并考虑到量子阱中的电子在垂直于阱壁方向已失去自 由度，因而只需考虑在kk,面内的态密度。 因此只需计算 k,k,面内某一点以某个 k值为半径 的圆面积内的态密度。同时因考虑阱层量子态的均匀性和对称性，可将态密度求值范围进一步缩小到1/4的圆面积内。每个态所占面积为A=π²/(LL,)=π²/A (其中L 和L, 分别为x 和y 方向的单位长度)。又考虑电子有两个自旋方向相反的态