电感元件设计规范要点.docxVIP

精品文档 1 电磁学根本概念及公式 2 根本概念 2 根本公式 2 2 磁元件的根本特性 3 磁滞效应〔HYSTERESIS EFFECT〕： 3 霍尔效应〔HALL EFFECT〕： 3 临近效应〔PROXIMITY EFFECT〕 3 磁材料的饱和 4 磁芯损耗 4 3 电感磁芯的分类及特点 5 磁芯材料的分类及其特点 5 铁氧体〔Ferrite〕 5 硅钢片〔Silicon Steel〕 6 铁镍合金〔又称坡莫合金或MPP〕 6 铁粉芯〔Iron Powder〕 6 铁硅铝粉芯〔又称Sendust 或Kool Mu〕 6 磁芯的外形分类： 6 电感的结构组成 7 环型电感 7 EE 型电感/变压器 8 电感的主要类型： 8 电感磁芯主要参数说明 9 4 电感在 UPS 中的应用 9 5 电感设计的原那么 12 原那么一：电感不饱和〔感值下降不超出合理范围〕 12 原那么二：电感损耗导致的温升在允许的范围内〔考虑使用寿命〕 15 原那么三：电感的工艺要求可以达成 17 6 电感设计标准表 18 精品文档 目的 磁性元件的设计是开关电源设计中的重点和难点， 究其原因是磁性元 件属非标准件，其设计时需考虑的设计参数众多，工艺问题也较为突出， 分布参数复杂。为帮助硬件工程师尽快了解磁性元件，优化设计并减少设 计中的错误，特制定此标准。 1 电磁学根本概念及公式 1.1 根本概念 1〕 磁通：穿过磁路的磁力线的总数，以Ф表示，单位韦伯〔Wb〕。 2〕 磁通密度〔磁感应强度〕：垂直于磁力线的方向上单位面积的磁通量， 以 B 表示，单位高斯〔Gauss〕或特斯拉〔T〕，1 T=104 Gauss。 3〕 磁场强度： 单位磁极在磁场中的磁力， 以 H 表示， 单位安[培]每米〔A/m〕 或奥斯特〔Oe〕，1 Oe=103/4π A/m。 4〕 磁导率：磁通密度与磁场强度之比，以μ表示， 实际使用中通常指相对 于真空的磁导率， 真空中的磁导率μ0 =4π×10-7 H/m。 5〕 磁体：磁导率远大于μ0 的物质，如铁，镍，钴及其合金或氧化物等。 6〕 居里温度点： 磁体在温度升高时， 其磁导率下降，当温度高到某一点时， 磁性根本消失，此温度称为居里温度点。 7〕 磁势：建立磁通所需之外力，以 F 表示。 8〕 自感：磁通变化率与电流变化率之比称自感，以 L 表示。 9〕 互感： 由于 A 线圈电流变化而引起 B 线圈磁通变化的现象，B 线圈的磁 通变化率与 A 线圈的电流变化率之比称为 A 线圈对 B 线圈的互感，以 M 表示。 1.2 根本公式 磁导率 μ = B / H 磁势 F = NI 磁通 φ = F / R 磁通密度 B = φ / A 磁场强度 H = NI / l 其中A为铁窗面积 其中l为等效磁路长度 图 2.1 环形铁心的铁窗 面积与磁路长度示意图 法拉第电磁感应定律： 穿过闭合回路的磁通发生变化，回路中会产生感应电流。如果回路不闭合， 无感应电流，但感应电动势依然存在，感应电动势的大小： 磁场中的磁体存储的能量为：e = 1 BHV 其中W BHV 其中 m 2 电学与磁学的对偶关系表： d φ N dt V为磁场中磁体的体积 电路 电路 磁路 电动势 ε 磁通势 F 电流 I 磁通 Φ 电阻 R 磁阻 R 精品文档 表 2.1 磁滞曲线图 2 磁元件的根本特性 2.1 磁滞效应〔Hysteresis Effect〕： 磁化过程中， 磁通密度 B 的变化较磁化力 F 的变化缓慢的现象称为磁 滞。 图 3.1 磁滞曲线图 2.2 霍尔效应〔Hall Effect〕： 流过电流的导体穿过磁场时，在导体两端产生感应电势的现象，称为 霍尔效应。 2.3 临近效应〔Proximit.f2f c效应示意图 流过电流的导线会产生磁场，相邻的导线在相互的磁场〔也可以是外 加磁场〕作用下会产生电流挤到导体一边的现象成为临近效应。相邻 层的导线假设电流方向相同，电流会往外侧挤，相邻层的导线假设电 精品文档 流方向相反，电流会往外内侧挤，如下列图所示。临近效应会导致导 体的利用率下降，铜损增加〔与趋肤效应类似〕。 图 3.3 邻近效应示意图 2.4 磁材料的饱和随着磁性材料中的磁场强度增加，其磁通密度也增大， 但当磁场强度大到一定程度时，其磁通不再增加(见图 3.1 磁滞回线的 Bs)，这称为磁饱和。 2.5 磁芯损耗 磁芯损耗主要由磁滞损耗和涡流损耗