在于分离电荷存储的MOS结构存储效应及机理研究的中期报告.docxVIP

在于分离电荷存储的MOS结构存储效应及机理研究的中期报告 这份中期报告主要针对分离电荷存储（Separated Charge Storage，SCS）的MOS结构存储效应和机理进行研究，并对研究结果进行了总结和分析。以下是报告的主要内容及结论： 1. SCS-MOS结构的构建：实验采用了硅基底片经过高温氧化形成的SiO2层和分别由化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）和等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced CVD，PECVD）生长的SiN和SiO2薄膜。将其制备成SCS-MOS结构。 2. 存储效应的研究：通过在SCS-MOS结构中注入电子或空穴，进行电子注入（Electron Injection，EI）和空穴注入（Hole Injection，HI）两种方式的存储效应研究。结果表明，EI和HI都可以引起SCS-MOS结构的门电压漂移，其中EI引起的漂移更加显著。 3. 存储机理的分析：通过对SCS-MOS结构进行TEM和XPS分析，发现在SiO2和SiN之间形成了电容层，其中的氢离子导致了局部缺陷的形成。在EI或HI作用下，电子或空穴进入缺陷中形成电性正荷，进而引起SCS-MOS结构的漂移现象。 4. 结论：SCS-MOS结构具有较好的存储效应和稳定性，结构简单，易于制备，具有广泛应用前景。通过对存储机理的研究可以为进一步探索和优化SCS-MOS结构的应用提供理论支持。 总之，这份中期报告通过对SCS-MOS结构的构建、存储效应和存储机理的研究，为该结构的特性和应用提供了深刻的认识和理解，具有较高的学术和应用价值。