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大物实验磁阻效应数据 2007年10月，法国科学家阿尔贝.费尔和德国科学家彼得.格林贝格尔因分别独立发现了巨磁电阻效应而共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。由磁场引起材料电阻变化的现象称为磁电阻效应。目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（OMR）、各向异性磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、庞磁电阻效应（CMR）及隧穿磁电阻效应（TMR）等。 磁电阻传感器可广泛的应用于家用电器、汽车工业和自动控制技术中，对角度、转速、加速度、位移等物理量进行测量和控制。特别是巨磁电阻材料在数据读出磁头、磁随机存储器上有广泛的应用前景。 本仪器提供三种磁电阻传感器，分别为多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器、各向异性磁电阻传感器。帮助学生了解不同磁电阻效应的原理及应用，仪器安全可靠，实验内容丰富。可用于高校、中专的基础物理实验、近代物理实验及综合性设计性物理实验。 【实验目的】 1．了解不同磁电阻效应原理，测量不同磁场下三种材料磁电阻阻值，作??关系图，求电阻相对变化率???的最大值； 2. 学习磁电阻传感器定标方法，计算三种磁电阻传感器灵敏度； 3．测量三种磁电阻传感器输出电压??与通电导线电流I的关系； 4．作自旋阀巨磁电阻传感器磁滞回线。 【实验原理】 （一）多层膜巨磁电阻效应 早在1856年，英国物理学家W.汤姆孙就发现了磁电阻效应。通常以电阻率的相对变化率?来表示磁电阻的大小，，其中?和??分别为磁场强度为和零时的电阻率。也可以用??来表示，其中和分别为磁感应强度为B和零时的电阻。目前发现的磁电阻效应有：正常磁电阻效应（OMR）、各向异性磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、庞磁电阻效应（CMR）及隧穿磁电阻效应（TMR）等。 1988年法国巴黎大学阿尔贝.费尔教授和德国优利西研究所的彼得.格林贝格尔教授分别独立发现了巨磁电阻效应，因而共同获得了2007年诺贝尔物理学奖。巨磁电阻材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时大幅度减小，?比各向异性磁电阻效应高一到两个数量级。磁场的微弱变化将导致巨磁电阻材料电阻值产生明显改变，从而能够用来探测微弱信号。一般材料的值都很小，通常小于1%；各向异性磁电阻材料（例如坡莫合金），可达到3%；而巨磁电阻材料?通常都在-10%以上，有些可达到-100%以上。因此，巨磁电阻材料受到了世界各国学术界和工业界的巨大关注，在短时间内取得了令人瞩目的理论及实验成果，并迅速进入应用领域获得巨大成功。 多层膜巨磁电阻是一种层状结构，由厚度为几个纳米的铁磁金属层（Fe,Co,Ni等）和非磁性金属层（Cr,Cu,Ag等）交替制成的，相邻铁磁金属层的磁矩方向相反。这种多层膜的电阻随外磁场变化而显著变化。当外磁场为零时，材料电阻最大；当外磁场足够大时，原本反平行的各层磁矩都沿外场方向排列，材料电阻最小。 多层膜巨磁电阻效应可以由二流体模型来解释。在铁磁金属中，导电的s电子要受到磁性原子磁矩的散射作用，散射的几率取决于导电的s电子自旋方向与薄膜中磁性原子磁矩方向的相对取向。即自旋方向与磁矩方向一致的电子受到的散射作用很弱，自旋方向与磁矩方向相反的电子则受到强烈的散射作用，而传导电子受到的散射作用的强弱直接影响到材料电阻的大小。 根据二流体模型，传导电子分成自旋向上和自旋向下两种，由于多层膜中非磁性金属层对两组自旋状态不同的传导电子的影响是相同的，所以只考虑磁层的影响。外加磁场为零时，相邻铁磁金属层的磁矩方向相反，如图1a所示，两种电子都在穿过与其自旋方向相同的磁层后，在下一磁层受到强烈的散射，宏观上，材料处于高电阻状态。当外加磁场足够大时，如图1b所示，原本反平行排列的各磁层磁矩都沿外磁场方向排列，一半电子可以穿过许多磁层只受到很弱的散射，另一半在每一层都受到很强的散射，宏观上，材料处于低电阻状态。这样就产生了巨磁电阻现象。 本仪器所用多层膜巨磁电阻传感器采用惠斯登电桥和磁通屏蔽技术。传感器基片上镀了一层很厚的磁性材料，这层材料对其下方的巨磁电阻形成屏蔽，不让任何外加磁场进入被屏蔽的电阻器。惠斯登电桥（见图2）由四只相同的巨磁电阻组成，其中和在磁性材料的上方，受外磁场作用时电阻减小，而和在磁性材料的下方，被屏蔽而不受外磁场影响，电阻不变。 （二）自旋阀巨磁电阻效应 目前，巨磁电阻效应的主要应用是在信息存储系统中作为读出磁头。自旋阀巨磁电阻材料具有低饱和场、单位磁场电阻变化率高的特点，广泛应用于硬盘磁头，使存储单字节数据所需的磁性材料尺寸大为减少，从而使磁盘存储密度得到大幅度的提高。 自旋阀巨磁电阻材料主要由钉扎层（一般由FeMn层和NiFe层构成）、自由层（NiFe层）和隔离层（Cu）构成，为了防止氧化，一般再镀一层保护层（见图3）。 在钉扎层中，FeMn和NiFe之间存在交换耦合作用，这导致N