半导体器件可靠性强化试验方法-编制说明.pdfVIP

中国电子学会 中国电子学会团体标准 《半导体器件可靠性强化试验方法》编制说明 一、工作简况 1、任务来源 《半导体器件可靠性强化试验方法》标准制定是2021年中国电子学会团体标 准计划项目之一，计划号：JH/CIE 203-2021 ，由中国电子学会可靠性分会提出， 由中国电子学会可靠性分会归口，主要承办单位为工业和信息化部电子第五研究 所。项目起止时间：2021.12-2022.12。 2 、主要工作过程 202 1年8月，成立了本标准的制定工作小组。编制组成员包括了长期从事半 导体器件可靠性试验研究的技术人员的试验成员，以及具有多年国标编制经验的 标准化专家。 2021年12月-2022年3月，编制工作组召开标准起草会，组织相关人员研读半 导体器件可靠性强化试验的相关标准，对标准的适用范围、相关范例进行研究。 2022年1月项目组形成标准草稿。 本标准主要起草人：杨少华、刘昌、王铁羊、吕宏峰、来萍、牛皓、颜佳 辉、赖灿雄、陈希宇、廖文渊、柳月波。 3、标准编制的主要成员单位及其所做的工作 本标准由工业和信息化部电子第五研究所主编，主要工作包括相关标准和文 献调研、标准技术点研究、标准编制以及意见征集。 二、标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题 1、编制原则 本标准参考行业、地方测试方法与标准，结合半导体器件的特点及测试要求 进行了扩展与修订。本标准根据GB/T 1.1—2020 《标准化工作导则 第1部分： 标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 2 、确定标准的主要内容和框架 强化试验在装备领域是一种高效的可靠性试验方法，用于暴露产品的薄弱 环节，目前应用较为广泛，但在半导体器件领域目前还没有相关的系统研究和 报道。目前，本方法在参考整机强化试验的剖面设计、应力选择、步长设定等 - 1 - 中国电子学会 已有基础上，结合半导体器件的使用和参数监测特点，提出了其可靠性强化试 验方法，有明确的需求和应用前景。 标准中对于半导体器件的试验项目、试验方法、试验程序等主要内容的规 定都来自于大量的文献调研和编制组长期的测试经验。本标准的结构和内容框 架包括：（1 ）范围；（2 ）规范性引用文件；（3 ）术语和定义；（4 ）一般要求； （5 ）试验方法；（6 ）记录与试验报告编制。 3、编制过程中解决的主要问题 编制过程中需要解决的主要问题包括： （1 ）明确了标准的适用范围。可靠性强化试验是激发产品潜在缺陷的有效 方法，而半导体器件的可靠性强化试验暂无相关标准，本标准明确适用于半导体 分立器件、集成电路、微波器件、混合电路的可靠性强化试验。 （2 ）规定了半导体器件的可靠性强化试验项目。包括了：高温步进试验、 低温步进试验、高结温步进试验、快速热循环试验、振动步进试验、静电步进试 验、电磁步进试验、输入过激励试验、电压拉偏试验、负载失配试验、温度+振 动综合试验、温循+振动综合试验、温度+真空综合试验、高温+真空+振动综合 试验、温变+ 电磁+振动综合试验项目，温度+过激励综合试验、温度+ 电压拉偏 综合试验、温度+ 负载失配综合试验。 （3 ）确定了半导体器件可靠性强化试验的条件、方法及步骤。通过步进的 方式对试件施加不断加大的环境应力和工作应力来激发产品设计中潜伏的各种 缺陷，所施加的应力量级最终远远超出为验证耐用产品设计所要求的水平，直至 产品的破坏极限。在这种强化的环境应力作用下产品的缺陷得以快速激发并以故 障形式表现出来，然后通过分析故障原因、采取改进措施来消除缺陷，提高产品 可靠性。指导产品的科学合理应用。 三、主要试验[或验证]情况分析和预期达到的效果 规范编制单位工业和信息化部电子第五研究所对半导体器件行业、可靠性强 化试验方法、规范进行了广泛调研。选取了典型的GaN 微波器件、行波管、FPGA 开展实施可靠性强化试验，通过对上述典型半导体器件的规范试验、综合评价、 应用验证，最终形成并验证了本试验标准的可行性。 目前国际、国内没有强化试验相关的统一方法，强化试验方法主要在各大 企业