辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测量方法.pdfVIP

ICS 31.080.01 L 40 团 体 标 准 JH/CIE XXX-202X 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测量方法 Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy （征求意见稿） 2022.5.20 （本草案完成时间： ） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 202X-xx-xx 发布 202X-xx-xx 实施 中国电子学会 发 布 JH/CIE XXX-202X 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测量方法 1 范围 本文件给出了利用深能级瞬态谱测试辐射诱生缺陷的试验方法和程序。本文件只适用于基于电 容瞬态测量的深能级瞬态谱测试。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。 本文件未给出半导体器件辐照试验的相关方法和流程，只针对辐照后器件的深能级缺陷的测量。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用 文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单） 适用于本文件。 GB/T 32304-2015 航天电子产品静电防护要求 GJB 1649-1993 电子产品防静电放电控制大纲 GJB 2712A-2009 装备计量保障中测量设备和测量过程的质量控制 GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法 GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 3 术语和定义 GJB 128A-1997、GJB 548B-2005确定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 复合中心 半导体中对非平衡载流子寿命的长短起决定性作用的杂质和缺陷称为复合中心。复合中心可以 同时俘获导带电子和价带空穴，从而促进载流子的复合，显著降低载流子寿命。 3.2 陷阱中心 半导体中有显著积累非平衡载流子作用的杂质和缺陷能级称为陷阱中心。陷阱中心对电子和空 穴的俘获概率有很大差异，只对一种载流子表现出显著俘获作用。 3.3 深能级缺陷和浅能级缺陷 按照缺陷能级在带隙中的位置，大致可将陷阱分为深能级缺陷和浅能级缺陷。能级位置靠近带 隙边缘（导带底或价带顶）的缺陷，称为浅能级缺陷。而深能级缺陷通常距离带隙边缘较远，靠近 带隙中间位置。深能级缺陷可以作为复合中心和陷阱中心。 注：部分深能级缺陷也可能距离带隙边缘较近。 3.4 深能级瞬态谱 Deep Level Transient Spectroscopy （DLTS ） 1 JH/CIE XXX-202X 一种通过对pn结、肖特基结、MOS结构等样品空间电荷区温度扫描下的瞬态电容测试，实现半 导体禁带宽度范围内深能级的位置、陷阱浓度和陷阱中心对载流子的俘获截面等参数检测的技术手 段。 3.5 缺陷浓度 Trap Density 单位体积内深能级缺陷的数量。 3.6 缺陷能级 Trap Energy Level 描述缺陷在半导体禁带中的位置，一般以导带底或价带顶作为参考。 3.7 缺陷俘获截面 Trap Capture Cross S