半导体器件可靠性强化试验方法.pdfVIP

ICS 35.060 L 74 团 体 标 准 JH/CIE XXX-202X ` 半导体器件可靠性强化试验方法 Reliability enhanced test of Semiconductor Devices （征求意见稿） 2022.5.20 （本草案完成时间： ） 在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 202X-xx-xx 发布 202X-xx-xx 实施 中国电子学会发 布 JH/CIE xxx-202X 半导体器件可靠性强化试验方法 1 范围 本文件确定了半导体器件可靠性强化试验方法，并规定了元器件强化试验的一般步骤、相关要求、方法及参数 监测等。 本文件适用于半导体分立器件、集成电路、微波器件、混合电路的可靠性强化试验，通过步进的方式对试件施 加不断加大的环境应力和工作应力来激发产品设计中潜伏的各种缺陷，所施加的应力量级最终远远超出为验证耐用 产品设计所要求的水平，直至产品的破坏极限。在这种强化的环境应力作用下产品的缺陷得以快速激发并以故障形 式表现出来，然后通过分析故障原因、采取改进措施来消除缺陷，提高产品可靠性。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期 对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 2423 电工电子产品基本环境试验规程 GB/T 29309-2012 电工电子产品加速应力试验规程 GJB 899A-2009 可靠性鉴定和验收试验 GJB 1407-92 可靠性增长试验 GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序 GJB 1032 电子产品环境应力筛选方法 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法 GJB 360B-2009 电子及电气元件试验方法 GJB 2712A-2009 装备计量保障中测量设备和测量过程的质量控制 3 术语和定义 GB/T 4589.1-2006界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 可靠性强化试验 reliability enhancement test 通常指一种采用逐步增强应力（如温度、振动、快速温变及振动综合应力等）的可靠性研制试验，其试验应力 比产品在整个生命周期内，包括运输、储存及运行环境内可能受到的环境应力大得多，可通过逐步、不断地加速激 发产品的潜在缺陷，并用于改进和验证。 3.2 规格极限 specific limit 技术规格书所规定的产品可正常应用（工作）的最高应力水平，称为规格极限，也称作设计限。 3.3 工作极限 operating Limit 当施加的某应力达到一定水平后，试验样品发生失效；但当应力强度降低后，试验样品仍能恢复正常工作，则 试验样品能够恢复正常工作的最高应力水平值称为工作极限，也称作运行限。工作极限包括高工作极限 （Upper Operating Limit,UOL ）和低工作极限 （Lower Operating Limit,LOL ）。 注：对于振动试验，工作极限只有上限值。 1 JH/CIE XXX-202X 3.4 破坏极限 d