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中国科技论文在线 强化晶圆退火重复性的方法研究 1,2 1** 李贇佳 ，黄其煜 （1. 上海交通大学电子信息与电气工程学院，上海，200240 ； 5 2. 上海华力微电子有限公司，上海，201203 ） 摘要：超浅结制造技术是支撑超大规模集成电路进一步发展的关键技术,本文以其中的关键 工艺——Spike Anneal （尖峰退火）为切入点，对激活Source/Drain （源/漏极）、LDD （lightly doped drain，轻掺杂漏极）的工艺特性作简单分析，并讨论了退火重复性问题。进一步分析 如何设立与优化尖峰退火条件，将外界环境影响最小化，使工艺温度与时间得到更精确控制。 10 并结合业内经验，通过反复试验