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低维纳米结构π轨道决定的电子输运性质之理论研究的中期报告 本研究旨在探究低维纳米结构中π轨道对电子输运性质的影响。在前期研究中，我们通过密度泛函理论计算得到了不同形状和大小的低维纳米结构的能带结构和密度分布。其中，我们发现在一些结构中，π轨道位于费米面附近，可能对电子的输运性质产生影响。 为了进一步研究π轨道在电子输运中的作用，我们对这些纳米结构进行了电子输运性质的计算。我们采用NEGF方法对体系进行建模和计算，并考虑了温度和电场对电子输运性质的影响。初步计算结果显示，π轨道确实对电子输运具有一定的影响。具体地，对于一些形状规则的低维纳米结构，我们观察到了π轨道能够在电子输运中起到导体或者助导体的作用，从而影响整个体系的电导率。 此外，我们还发现在一些纳米结构中，π轨道对电子输运性质的影响不明显。这可能与π轨道的位置、能量以及输运温度等因素有关，需要进一步的研究和分析。 总之，我们初步探究了低维纳米结构π轨道对电子输运性质的作用，并取得了一定的研究进展。接下来，我们将进一步优化模型和计算方法，并深入探究π轨道在电子输运中的作用机制。