模拟电子技术 课后习题及答案.docx

第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在 N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为 P 型半导体。（ ） （2）因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压， 才能保证其 R GS 大的特点。（ ） 若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 （ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6） × 二、选择正确答案填入空内。 PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。 变窄 B. 基本不变 C. 变 e T宽 e T 设二极管的端电压为 U，则二极管的电流方程是 。 I (eU UT－1) S I eU S I U U S C. 稳压管的稳压区是其工作在 。 正向导通 B.反向截止 C.反向击 穿 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 前者反偏、后者也反偏 B. 前 者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）U ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 GS A. 结型管 B. 增强型 MOS 管 C. 耗尽型 MOS 管解：（1）A