p-n异质结光电探测器原理.docxVIP

1 绪论 1.1 光电探测器的研究背景 光电导效应长期处于探索研究阶段，是由英国的物理学家史密斯在1873年发现的一种效应，可以并没有获得实际应用。随着半导体工艺的发展，在第二次世界大战之后，出现了许许多多的光电导材料。在1955年左右，已经投入使用了多种光电探测器，比如硫化镉光敏电阻以及红外波段的硫化铅光电探测器，以上均属于可见光波段。 1960年之前人们不得不使用非本征光电导效应，因为在那之前还没有研制出合适的窄禁带宽度的半导体材料。为了能够产生光生自由电子或自由空穴，需要让照射的光子能量等于或大于材料的禁带中存在深度的杂质能级的离化能。 在1960年后，当时的学者成功发明了中远红外