氮化镓项目人力资源管理手册（参考）.pdfVIP

氮化镓项目 人力资源管理手册 目录 第一章项目背景分析 3 第二章公司简介 9 一、基本信息 9 二、公司简介 9 三、公司主要财务数据 10 第三章企业组织结构调查与组织结构图的绘制 11 一、企业组织结构的调查 11 第四章工作岗位分析研究 16 一、工作岗位分析的程 16 第五章招聘评估指标的统计分析 20 一、人员招聘数量与质量评估 20 二、招募环节的评估 20 第六章甄选应聘人员方法 22 一、人格测试 22 二、兴趣测试 22 第七章基于培训需求分析的项目设计 24 一、培训项目的设计与管理应关注的问题 24 第八章培训方法的选择与应用 26 一、选择企业员工培训方法的程序 26 第九章岗位评价的基本步骤 29 一、岗位评价的特点 29 二、岗位评价的基本功能 30 第十章市场薪酬调查分析 32 一、薪酬市场调查的主要方法 32 二、市场薪酬调查的基本概念 33 第十一章最低工资保障制度 35 一、工资支付保障 35 二、最低工资标准的确定和调整 39 第十二章劳动争议的协商与调解分析 43 一、劳动争议的协商解决 43 二、劳动争议概述 44 第一章 项目背景分析 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直 接能隙(directbandgap)的半导体，自 1990 年起常用在发光二极管中。 此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4 电 子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。 在GaN 电力电子产线方面，截至2020年底，我国已有7条GaN- on-Si 晶圆制造产线，另有约4条GaN 电力电子产线正在建设。 GaN射频产线方面，截至2020年底，我国有5条4英寸GaN-on- SiC 生产线，约有5条GaN射频产线正在建设。 根据CASAResearc 数据显示，在GaN 电力电子方面，GaN-on-Si 外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算6 英寸产能约为22万片/年。 在GaN微波射频方面，SiC半绝缘衬底折算4英寸产能约为18万 片/年，GaN-on-SiC外延片折算4英寸产能约为20万片/年，GaN-on- SiC器件/模块折算4英寸产能约为 16万片/年。2020年，新能源汽车、 PD快充、5G等下游应用市场增长超预期，国内现有产品商业化供给无 法满足市场需求，尤其是SiC 电力电子和GaN射频存在较大缺口。这 也导致我国第三代半导体各环节国产化率较低，超过八成的产品依赖 进口。 在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产 业实现逆势增长。根据CASA 的统计，2020年我国SiC、GaN 电子电力 和GaN微波射频产值合计达到105.5亿元，同比增长69.61%。 目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽 车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，随着下游特 斯拉等品牌开始大量推进SiC解决方案，国内的厂商也快速跟进，以 比亚迪为代表的整车厂商开始全方位布局，推动第三代半导体器件的 在汽车领域加速。笫三代半导体器件在充电桩领域的渗透快于整车市 场，主要应用是直流充电。 国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域， 2020 年市场规模占整个GaN 射频器件市场的53%;其次是无线基础设施， 下游市场占比 36%。 “十三五”时期国内外发展环境进一步发生深度变革。各国不均 衡发展加剧，美国经济进入加息周期；经济全球化进程放缓，对外开 放进入全新阶段；科技革命催生新业态，各地抢点占位竞争激烈；经 济发展进入新常态，经济转型升级更加迫切；市场决定性作用凸显， 政府调控管理日益规范；要素高成本时代来临，人口红利已经基本消 失；城镇化进程持续加速，内需潜力不断加快释放；人均收入迈向新 台阶，消费拉动增长成为引擎。