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p型gaas合金中ipau和crpau的对比研究 1 p型gaas欧姆接触的制作 gaas材料的欧姆接触有两种类型：n型和p型。因为GaAs中空穴的迁移率明显低于电子的迁移率,所以大部分GaAs MESFET都采用N型导电沟道的器件结构,因此GaAs材料的N型欧姆接触被广泛研究,现已经形成常用的AuGeNi欧姆接触,在AuGeNi接触层与Au覆盖层之间加入扩散阻挡层WN,不仅降低了比接触电阻,而且具有良好的表面形貌。更重要的是WN膜的引入有效地阻挡了接触层与Au覆盖层中各种元素原子之间的相互扩散,提高了接触的可靠性。 与N型GaAs欧姆接触相比,对P型GaAs的欧姆接触的研究显得不那么详细,在制作P型GaAs欧姆接触时,大多采用Zn-Au合金或Cr/Au作为欧姆接触金属。常用的欧姆接触金属是含5%~15% Zn的Au-Zn合金,由于Zn是Ⅱ族材料,因此当它占据Ga位置时将使GaAs呈P型掺杂。在Mg注入形成的P型GaAs材料上,用预热和快速两步退火方式形成Au/Zn/Au的P型欧姆接触,接触电阻率可达3.73×10-5Ω·cm2。但是,由于Zn的蒸气压高,这些P型GaAs的欧姆接触的热稳定性和可靠性不太好。因此,可在P型GaAs外延层上蒸发Cr和Au代替原来的蒸发Zn和Au,改善了镀Au层的延展性、耐磨性和抗磨损性,大大提高了膜层在外延层上的附着力。也有用Mo、Pd等金属作为欧姆